MSI hat neue Testergebnisse veröffentlicht, die zeigen, dass der High-Efficiency-Modus im BIOS die Latenz von herkömmlichem DDR5-6000-EXPO-Speicher deutlich reduzieren kann. Laut den Messungen erreicht Standard-RAM damit nahezu das Niveau der deutlich teureren AMD EXPO Ultra Low Latency (ULL)-Speicherkits.
Getestet wurde mit einem AMD Ryzen 7 9800X3D, einem MSI B850MPOWER-Mainboard sowie zwei 32-GB-G.Skill-Kits. Ohne High-Efficiency-Modus lag die Speicherlatenz eines DDR5-6000-CL30-Kits bei 79,4 ns. Mit der aggressivsten BIOS-Einstellung „Tightest“ sank dieser Wert auf 71,6 ns. Das EXPO-ULL-Kit erreichte 71,4 ns im Standardprofil und 71,1 ns mit aktiviertem High-Efficiency-Modus.
Der Leistungsgewinn entsteht durch optimierte sekundäre und tertiäre Speichertimings, nicht durch eine Änderung der CAS-Latenz. MSI bietet dafür die vier Profile Tightest, Tighter, Balance und Relax an.
Da EXPO-ULL-Speicher derzeit vergleichsweise teuer ist, könnte der BIOS-Modus für viele Nutzer eine attraktive Alternative darstellen. MSI weist jedoch darauf hin, dass aggressive Timings die Systemstabilität beeinträchtigen können. Daher sollten die Einstellungen nach der Aktivierung mit umfangreichen Speicher- und Praxistests überprüft werden.
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Zuletzt aktualisiert am 13. Januar 2026 um 7:11 . Wir weisen darauf hin, dass sich hier angezeigte Preise inzwischen geändert haben können. Alle Angaben ohne Gewähr.
