BOISE, Idaho, USA, 26. Januar 2021 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), gab heute die Massenauslieferung von 1α (1-alpha) Knoten-DRAM-Produkten bekannt, die auf der weltweit fortschrittlichsten DRAM-Prozesstechnologie basieren und erhebliche Verbesserungen bei Bitdichte, Stromverbrauch und Leistung bieten. Dieser Meilenstein unterstreicht die Wettbewerbsstärke von Micron und ergänzt die jüngsten Durchbrüche mit dem schnellsten Grafikspeicher der Welt und dem ersten 176-Layer-NAND.
„Diese Errungenschaft auf dem Gebiet der 1α-Knoten bestätigt die Exzellenz von Micron im Bereich DRAM und ist ein direktes Ergebnis des unermüdlichen Engagements von Micron für Spitzendesign und -technologie“, so Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology and Products bei Micron. „Mit einer um 40 % verbesserten Speicherdichte gegenüber unserem bisherigen 1z-DRAM-Knoten schafft diese Weiterentwicklung eine solide Grundlage für zukünftige Produkt- und Speicherinnovationen.“
Micron plant, den 1α-Knoten noch in diesem Jahr in sein DRAM-Produktportfolio zu integrieren, um alle Umgebungen zu unterstützen, die heute DRAM verwenden. Die Anwendungsfälle für diese neue DRAM-Technologie sind umfangreich – sie steigern die Leistung in allen Bereichen, von mobilen Geräten bis hin zu intelligenten Fahrzeugen.
Micron baut seine Führungsposition im Bereich Speicher in mehreren Marktsegmenten aus
„Unsere neue 1α-DRAM-Technologie wird das stromsparendste mobile DRAM der Branche ermöglichen und die Vorteile unseres DRAM-Portfolios für Kunden aus den Bereichen Data Center, Clients, Verbrauchertechnologie, Industrie und der Automobilbranche nutzbar machen“, so Sumit Sadana, Executive Vice President und Chief Business Officer bei Micron. „Mit unserer Führungsrolle sowohl in der DRAM- als auch in der NAND-Technologie befindet sich Micron in einer hervorragenden Position, um das Wachstum in den Bereichen Speicher und Storage zu nutzen, die im nächsten Jahrzehnt die am schnellsten wachsenden Segmente in der Halbleiterindustrie sein werden.“
Der 1α-DRAM-Knoten von Micron ermöglicht energieeffizientere, zuverlässigere Speicherlösungen und bietet schnellere LPDDR5-Betriebsgeschwindigkeiten für mobile Plattformen, die eine erstklassige LPDRAM-Leistung erfordern. Microns Innovation bringt den branchenweit stromsparendsten mobilen DRAM mit einer um 15 % verbesserten Energieeinsparung,[1] sodass 5G-Mobilfunknutzer mehr Aufgaben auf ihren Smartphones ausführen können, ohne die Akkulaufzeit zu beeinträchtigen.
Microns fortschrittlicher Speicherknoten unterstützt Dichten von 8 Gb bis 16 Gb und bietet die Flexibilität, um viele der aktuellen DDR4- und LPDDR4-Produkte von Micron zu unterstützen. Gleichzeitig bietet er den Kunden von Micron in den Bereichen Data Center, Clients, Netzwerke und Embedded die energieeffiziente, zuverlässige und erweiterte Produktunterstützung, die sie benötigen. Diese Langlebigkeit reduziert die Kosten für die Requalifizierung durch Kunden innerhalb ihrer eigenen Produktlebenszyklen. Außerdem sorgt sie für bessere Gesamtbetriebskosten über die Systemlebensdauer in Anwendungsszenarien wie eingebetteten Automobillösungen, Industrie-PCs und Edge-Servern, die normalerweise eine längere Lebensdauer haben.
Verfügbarkeit
Die Micron-Produktionsstätten in Taiwan haben die Massenproduktion von 1α-Knoten-DRAM gestartet, beginnend mit DDR4-Speichern für Computing-Kunden und Crucial Consumer-PC-DRAM-Produkten. Micron hat auch mit dem Sampling von LPDDR4 für die Qualifizierung durch Kunden aus der Mobilgerätebranche begonnen. Das Unternehmen wird im Laufe des Kalenderjahres 2021 weitere neue Produkte einführen, die auf dieser Technologie basieren.
1] 15 %ige Energieeinsparung im Vergleich zur vorherigen 1z-Generation von mobilen DRAMs von Micron.
