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Home » G.SKILL stellt verbessertes DDR5 R-DIMM mit 16-Layer PCB und Spannungsschutz vor
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

G.SKILL stellt verbessertes DDR5 R-DIMM mit 16-Layer PCB und Spannungsschutz vor

phil.bVon phil.b21. Februar 2025Updated:21. Februar 2025Keine Kommentare2 Mins Read
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Der neue G.SKILL R-DIMM-Speicher, basierend auf den aktuellen JEDEC-Revisionsstandards für DDR5 R-DIMMs, bietet bedeutende technische Verbesserungen für den Einsatz in Servern und Workstations. Besonders hervorzuheben ist das 16-Layer-PCB, das eine verbesserte Signalintegrität gewährleistet, was zu einer stabileren Leistung und einer besseren Fehlerresistenz führt. Die Integration von zwei TVS-Dioden (Transient Voltage Suppression) schützt vor Spannungsspitzen, die während des Betriebs auftreten können. Zusätzlich sorgt der Spannungsschutz dafür, dass die Komponenten vor möglichen Schäden durch unvorhergesehene Spannungsschwankungen geschützt sind. Diese Features machen den Speicher besonders robust und zuverlässig für anspruchsvolle Anwendungen in Servern und Workstations, bei denen sowohl Leistung als auch Sicherheit von entscheidender Bedeutung sind.

Verbesserte Signalintegrität mit 16-Layer PCB

Die Einführung des 16-Layer-PCBs in den neuen DDR5 R-DIMM-Speichermodulen ist ein signifikanter Schritt nach vorne, insbesondere im Vergleich zu den früheren 8- oder 10-Layer-Designs. Ein 16-Layer-Design ermöglicht eine bessere Trennung der Signalleitungen und führt zu einer deutlich verbesserten Signalqualität, was die allgemeine Zuverlässigkeit und Stabilität des Speichersystems steigert. Dies ist besonders vorteilhaft in Szenarien, in denen hohe Leistung oder Übertaktung eine Rolle spielen, da es die Wahrscheinlichkeit von Signalstörungen oder -verlusten bei schnellerer Datenübertragung verringert.

Verbesserter Spannungsschutz mit zusätzlichen TVS und Sicherung

Die Integration von zwei bidirektionalen TVS-Dioden und einer Sicherung in die neuen DDR5 R-DIMM-Module ist eine wichtige Maßnahme zum Schutz vor Spannungsspitzen und unregelmäßigen Spannungspegeln. TVS-Dioden (Transient Voltage Suppression Dioden) sind speziell dafür entwickelt, Überspannungen zu erkennen und sofort zu absorbieren, wodurch die empfindlichen Elektronikkomponenten des Speichermoduls geschützt werden. Die bidirektionalen TVS-Dioden sind in der Lage, sowohl positive als auch negative Spannungsspitzen zu verhindern, was eine besonders umfassende Schutzfunktion bietet.

Verfügbarkeit

Die neuen G.SKILL R-DIMM Speicherkits, die auf den neuesten Standards basieren, werden voraussichtlich ab Mitte 2025 über die weltweiten G.SKILL Vertriebspartner erhältlich sein.

*Auszug Pressemitteilung

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16-Layer PCB DDR5 R-DIMM G.Skill
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