Nijmegen, 18. November 2022:Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, erweitert sein Portfolio an ASFETs für Hotswap und Softstart mit zehn neuen, umfassend optimierten 25-V- und 30-V-Bauelementen. Diese kombinieren eine verbesserte SOA-Leistung (SOA=Safe Operating Area) mit extrem niedrigem RDS(on). Damit eignen sie sich ideal für den Einsatz in 12-V-Hotswap-Anwendungen – beispielsweise in Servern von Rechenzentren oder Kommunikationsequipment – und sind der neue Benchmark in der Branche.
Seit mehreren Jahren vereint Nexperia bewährtes Fachwissen zu MOSFETs mit umfassender Applikations-Expertise zur Entwicklung marktführender ASFETs: Bauelemente in denen entscheidende MOSFET-Leistungsmerkmale verbessert werden, um die Anforderungen in bestimmten Anwendungen zu erfüllen. Seit ihrer Markteinführung konnten ASFETs erfolgreich in Produkten eingesetzt werden, um beispielsweise die Isolierung von Batterien, die Steuerung von Gleichstrommotoren, Power-over-Ethernet oder Airbag-Anwendungen in Fahrzeugen zu optimieren.
Einschaltströme können eine Herausforderung für die Zuverlässigkeit von Hotswap-Anwendungen sein. Nexperia, der Wegbereiter der verbesserten SOA-MOSFETs, hat dieses Problem durch die Entwicklung eines Portfolios von ASFETs für Hotswap und Softstart mit verbesserter SOA gelöst, die umfassend für solche Anwendungen optimiert worden sind. Der ASFET PSMNR67-30YLE bietet eine 2,2-fach höhere SOA (12 V @100 mS) als frühere Technologien und hat einen RDS(on) (max) von nur 0,7 mΩ. Der Spirito-Effekt, also ein steilerer Abfall der SOA-Kurven bei höheren Spannungen, wurde eliminiert. Gleichzeitig bleibt die verbesserte Leistung über den gesamten Spannungs- und Temperaturbereich, verglichen mit nicht optimierten Bauelementen, erhalten.
Darüber hinaus unterstützt Nexperia die Entwickler, indem die Notwendigkeit des thermischen De-ratings eliminiert wird: Alle Bauteile sind bei 125 °C vollständig charakterisiert. SOA-Diagramme sind verfügbar.
Ein erstes Portfolio von acht Bauteilen (drei 25-V- und fünf 30-V-Produkte) ist in einer Auswahl von LFPAK56- und LFPAK56E-Gehäusen mit einem RDS(on) von 0,7 mΩ bis 2 mΩ für die meisten Hotswap- und Softstart-Anwendungen erhältlich. Zwei weitere 25-V-Produkte mit einem noch niedrigeren RDS(on) von 0,5 mΩ sollen in den kommenden Monaten auf den Markt kommen.
