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Samsung startet Serienproduktion seines FinFET der zweiten Generation mit 10 nm

Samsung Electronics, ein weltweit führendes Unternehmen für fortschrittliche Halbleitertechnologie, gab heute bekannt, dass sein Foundry-Geschäft mit der Massenproduktion von System-on-Chip (SoC) -Produkten begonnen hat, die auf der 10-Nanometer-FinFET-Prozesstechnologie der zweiten Generation, 10LPP (Low Power Plus), basieren.

Die 10LPP-Prozesstechnologie ermöglicht im Vergleich zu ihrer ersten 10-nm-Prozesstechnologie, 10LPE (Low Power Early), eine um bis zu 10 Prozent höhere Leistung bzw. einen 15 Prozent geringeren Stromverbrauch. Da dieser Prozess von der bereits bewährten 10LPE-Technologie abgeleitet ist, bietet er Wettbewerbsvorteile, indem die Durchlaufzeit von der Entwicklung bis zur Massenproduktion deutlich verkürzt wird und die anfängliche Produktionsausbeute deutlich erhöht wird. SoCs, die mit der 10LPP-Prozesstechnologie entwickelt wurden, werden in digitalen Geräten eingesetzt, die Anfang nächsten Jahres auf den Markt kommen sollen und voraussichtlich das ganze Jahr über verfügbar sein werden.

Wir werden unsere Kunden durch die Migration von 10LPE auf 10LPP mit verbesserter Leistung und höherer Anfangsausbeute besser bedienen können„, sagte Ryan Lee, Vizepräsident für Foundry Marketing bei Samsung Electronics. „Samsung mit seiner langlebigen 10-nm-Prozessstrategie wird weiterhin an der Entwicklung der 10-nm-Technologie bis hinunter zu 8LPP arbeiten, um den Kunden deutliche Wettbewerbsvorteile für eine breite Palette von Anwendungen zu bieten.

Samsung kündigte außerdem an, dass seine neueste Produktionslinie, S3, in Hwaseong, Korea, bereit ist, die Produktion von Prozesstechnologien, einschließlich 10 nm und darunter, zu beschleunigen. S3 ist die dritte Fabrik von Samsung, nach S1 in Giheung, Korea und S2 in Austin, USA. Samsungs 7nm-FinFET-Prozesstechnologie mit EUV (Extreme Ultra Violet) wird ebenfalls im S3 in Serie produziert.

Quelle: techpowerup