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TEAMGROUP kündigt die MP34Q M.2 PCIe SSD mit 8 TB und die Speicherkarte für das HIGH ENDURANCE Überwachungssystem an

07/15/2021 – Um der Marktnachfrage nach Datenspeichern mit großer Kapazität gerecht zu werden, kündigte TEAMGROUP heute zwei leistungsstarke Speicherprodukte mit großer Kapazität an: die TEAMGROUP MP34Q M.2 PCIe SSD, welche QLC Flash und eine PCIe Gen3x4-Schnittstelle nutzt und mit Kapazitäten bis zu 8 TB aufwartet.

Dazu auch unsere neue HIGH ENDURANCE CARD für hochauflösende Überwachungssysteme. Ob für Computerausrüstung oder Sicherheitssysteme, die zu Hause oder in einem Unternehmen verwendet werden, TEAMGROUP bietet zuverlässige Upgrade-Lösungen für diejenigen, die nach bester Leistung und Stabilität suchen.

Heute kündigte das Unternehmen die TEAMGROUP MP34Q M.2 PCIe SSD an, welche QLC Flash und eine PCIe Gen3x4-Schnittstelle nutzt. Sie unterstützt auch NVMe 1.3 und die Dual Cache Technologien: SLC Caching und DRAM Cache Buffer. Die MP34Q M.2 PCIe SSD bietet eine enorme Kapazität von bis zu 8 TB, hervorragende Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 3.400/3.000 MB/s und eine offizielle 5-Jahres-Garantie beim Kauf, sodass Verbraucher mit Vertrauen kaufen und aufrüsten können.

Die speziell für Überwachungsgeräte entwickelte HIGH ENDURANCE CARD verfügt über eine Videogeschwindigkeitsklasse V30 und unterstützt 4K- und Full-HD-Aufzeichnung und -Wiedergabe. Mit mehreren Schutz- und Haltbarkeitsfunktionen hält sie nicht nur hohen und niedrigen Temperaturen stand, sondern ist auch stoßfest, wasserdicht, antistatisch und röntgensicher. Darüber hinaus bietet sie eine langzeitstabile Speicherleistung für schreibintensive Workloads. Die HIGH ENDURANCE CARD verfügt über Kapazitäten von bis zu 256 GB und ermöglicht das Lesen und Schreiben von 40.000 Stunden Überwachungsmaterial, was sie zur perfekten Karte für die Speicherung von fortschrittlichen Sicherheitssystemen macht.

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Samsung stellt 8 TB NVMe SSD für Rechenzentren vor

Samsung Electronics, der Weltmarktführer in der fortschrittlichen Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es die branchenweit leistungsstärkste NVMe Solid State Drive (SSD) auf Basis des unglaublich kleinen Small Form Factor (NGSFF) der nächsten Generation – einer NF1-SSD mit acht Terabyte (TB) – auf den Markt gebracht hat. Die neue 8TB NVMe NF1 SSD wurde für datenintensive Analyse- und Virtualisierungsanwendungen in Rechenzentren und Enterprise-Serversystemen der nächsten Generation optimiert.

„Mit der Einführung der ersten NF1 NVMe SSD bringt Samsung die Investitionseffizienz in Rechenzentren auf neue Höhen“, sagt Sewon Chun, Senior Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. „Wir werden weiterhin den Trend anführen, ultrahohe Leistung in Rechenzentren und Unternehmenssysteme zu ermöglichen, indem wir Speicherlösungen mit beispielloser Performance und Dichte anbieten.

Die neue SSD besteht aus 16 von Samsungs 512-Gigabyte (GB) NAND-Modulen, die jeweils in 16 Schichten mit 256 Gigabit (Gb) 3-Bit V-NAND-Chips gestapelt sind und eine Dichte von 8 TB bei einer ultra-kleinen Grundfläche von 11 cm x 3,05 cm erreichen. Das ist die doppelte Kapazität der M.2 NVMe SSD (11 cm x 2,2 cm), die häufig in hyperskaligen Server-Designs und ultraflachen Laptops verwendet wird. Die NF1 SSD soll herkömmliche 2,5-Zoll-NVMe-SSDs schnell und einfach ersetzen, indem sie eine bis zu dreifache Systemdichte in der bestehenden Server-Infrastruktur ermöglicht und damit einen beispiellosen Speicherplatz von 576 TB in den neuesten 2HE-Rackservern ermöglicht.

Die NF1 SSD verfügt über einen brandneuen, leistungsstarken Controller, der das NVMe 1.3 Protokoll und die PCIe 4.0 Schnittstelle unterstützt und sequentielle Lesegeschwindigkeiten von 3.100 Megabyte pro Sekunde (MB/s) und Schreibgeschwindigkeiten von 2.000 MB/s liefert. Diese Geschwindigkeiten sind mehr als das Fünffache bzw. Dreifache einer typischen SATA-SSD. Die Zufallsgeschwindigkeiten liegen bei 500.000 IOPS für Lesevorgänge und 50.000 IOPS für Schreibvorgänge. Mit der neuen NF1-Speicherlösung kann ein Enterprise-Server-System mehr als eine Million IOPS in einem 2HE-Rack ausführen, was den „Return on Investment“ für große Rechenzentren der nächsten Generation deutlich erhöht. Die SSD enthält außerdem einen 12 GB LPDDR4-DRAM, um eine schnellere und energieeffizientere Datenverarbeitung zu ermöglichen.

Um eine langfristige Datensicherheit zu gewährleisten, wurde die NF1 NVMe SSD mit einer Ausdauer von 1,3 Drive-Writes pro Tag (DWPD) entwickelt, die das Schreiben von 8 TB Daten 1,3 Mal pro Tag während der dreijährigen Garantiezeit garantiert.

Samsung plant, seine 256 Gb 3-Bit V-NAND-basierte SSD in der zweiten Hälfte dieses Jahres mit einer 512 Gb-Version zu begleiten, um eine noch schnellere Verarbeitung für große Datenanwendungen zu ermöglichen und gleichzeitig das Wachstum der nächsten Generation von Unternehmens- und Mittelstandsrechenzentren zu beschleunigen.

Quelle: Samsung Introduces 8 TB NVMe SSD For Data Centers

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