Embedded-Flashspeichern Archive

Düsseldorf, 19. Januar 2022 – KIOXIA Europe startet mit der Einführung von Embedded-Flashspeichern, die die UFS-Spezifikation (Universal Flash Storage1) in Version 3.1 unterstützen und die innovative QLC-Technologie (Quad Level Cell) des Unternehmens nutzen. Mit vier Bits pro Speicherzelle bietet die QLC-Technologie von KIOXIA die höchsten verfügbaren Speicherdichten, die sich mit einem einzigen Speicherpaket erreichen lassen und die in hochmodernen Smartphones und vielen anderen Einsatzbereichen gebraucht werden.

Der jetzt vorgestellte Proof of Concept (PoC) fasst 512 Gigabyte und setzt auf 1-Terabit BiCS-FLASH-3D-Speicher von KIOXIA mit QLC-Technologie. Der PoC ist so konzipiert, dass er die steigenden Leistungs- und Dichteanforderungen mobiler Anwendungen erfüllt, die sich unter anderem aus hochauflösenden Fotos, Videos mit 4K Plus und schnellen 5G-Netzen ergeben.

„KIOXIA ist einer der Erfinder von UFS-Speichern und seit 2013 einer der führenden Anbieter. Seitdem konzentrieren wir uns auf den Ausbau unserer umfangreichen Produktpalette um neue UFS-Lösungen für Anwendungen, die nach einer besonders hohen Schnittstellenperformance verlangen“, erklärt Axel Störmann, Vice President Memory Marketing & Engineering bei KIOXIA Europe. „Mit QLC UFS bieten wir nun eine weitere Lösung, die den steigenden Anforderungen an Flashspeicher gerecht wird.“

Muster seines QLC-UFS-PoC mit 512 Gigabyte liefert KIOXIA ab sofort an ausgewählte OEM-Kunden aus.

Anmerkungen

1 Universal Flash Storage (UFS) ist eine Produktkategorie für eine Klasse von Embedded-Speichern, die nach der UFS-Standardspezifikation der JEDEC gefertigt werden. UFS verwendet eine serielle Schnittstelle mit dem Vorteil der Vollduplex- und gleichzeitigen Lese-/Schreibkommunikation mit dem Host-Gerät.

Die Muster sind PoC-Speicher, die sich noch in der Entwicklung befinden und daher in einigen Funktionen eingeschränkt sind. Darüber hinaus können sich die Spezifikationen der Speicher ohne vorherige Ankündigung ändern.

Bei jeglicher Erwähnung eines KIOXIA-Produkts gilt: Die Speicherdichte wird auf Basis der Dichte des/der Speicherchips im Produkt ermittelt und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderen Beschränkungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den entsprechenden Produktspezifikationen.

Alle Firmen-, Produkt- und Servicenamen können Marken der jeweiligen Unternehmen sein.

Düsseldorf, 11. August 2021 – KIOXIA Europe hat mit der Auslieferung von Warenmustern seiner neuesten Generation von Embedded-Flashspeichern in den Größen 256 und 512 Gigabyte begonnen. Die UFS-3.1-Flashspeicher sind in 0,8 und 1,0 mm hohen Gehäusen verbaut und damit dünner als ihre Vorgänger.[1] Zudem steigt die Leistung um 30 Prozent beim zufälligen Lesen und um 40 Prozent beim zufälligen Schreiben.[2] Die neuen UFS-Speicher von KIOXIA setzen auf den aktuellsten und leistungsfähigsten BiCS FLASH 3D-Flashspeicher der fünften Generation und sind für eine Vielzahl mobiler Anwendungen geeignet.

Für die vielen energie- und platzsparenden Anwendungen, die Embedded-Flashspeicher nutzen, sind weiterhin höhere Leistungen und Dichte erforderlich – und UFS gilt zunehmend als präferierte Lösung. Laut Forward Insights entfallen bei der weltweiten Gesamtnachfrage nach UFS- und e-MMC-Lösungen in diesem Jahr fast 70 Prozent der Nachfrage auf UFS – mit steigender Tendenz .[3]

„Mit der neuen UFS-Version 3.1 haben wir unsere Führungsrolle bei der JEDEC-Standardisierung weiter ausgebaut und einen weiteren Durchbruch bei der Leistung und den Formfaktoren im Bereich der nichtflüchtigen Speicher erzielt“, erklärt Axel Störmann, Vice President Memory Marketing & Engineering der KIOXIA Europe GmbH. „Durch die konsequente Überprüfung und Weiterentwicklung der 3D-Flashspeichertechnologie BiCS FLASH von KIOXIA entsteht nicht nur ein neues Produktsortiment mit wettbewerbsfähigen zufälligen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten in dünnsten Gehäuseformaten. Die neuen Bausteine sind auch eine bevorzugte Lösung für einen weit gefächerten Bereich anspruchsvoller Industrieanwendungen.“

Die neuen UFS-3.1-Flashspeicher mit 256 und 512 Gigabyte bieten folgende Neuerungen:

Leistungssteigerung von 30 Prozent beim zufälligen Lesen und 40 Prozent beim zufälligen Schreiben.
Host Performance Booster (HPB) Version 2.0: verbessert die Leseleistung bei wahlfreiem Zugriff durch Nutzung des hostseitigen Speichers, um logisch-physikalische Umwandlungstabellen zu speichern. Während HPB Version 1.0 nur den Zugriff auf Chunks mit einer Größe von 4 Kilobyte bietet, ermöglicht HPB Version 2.0 einen breiten ausgelegten Zugriff – was die Leseleistung bei wahlfreiem Zugriff weiter steigern kann.
Dünneres Gehäuse für 256 Gigabyte mit einer Höhe von nur 0,8 mm.

Anmerkungen:

[1] Gilt für eine Dichte von 256 GB im Vergleich zu KIOXIAs vorheriger UFS-Generation mit 256 GB.
[2] Im Vergleich zur vorherigen Generation der 256/512 GB UFS von KIOXIA.
[3] Quelle: Forward Insights 2Q21

Universal Flash Storage (UFS) ist eine Produktkategorie für eine Klasse von Embedded-Speicherprodukten, die nach der JEDEC-UFS-Standardspezifikation gefertigt werden.

Die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten können je nach Hostgerät, Lese- und Schreibbedingungen sowie Dateigröße variieren.

Bei jeglicher Erwähnung eines KIOXIA-Produkts gilt: Die Produktdichte wird auf Basis der Dichte des/der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann aufgrund von Overhead-Daten, der Formatierung, von Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer ausfallen sowie auch abhängig von Hostgerät und Anwendung variieren. Einzelheiten entnehmen Sie bitte den einschlägigen Produktspezifikationen. Definition von 1 KB = 2^10 Byte = 1.024 Byte. Definition von 1 Gb = 2^30 Bit = 1.073.741.824 Bit. Definition von 1 GB = 2^30 Byte = 1.073.741.824 Byte. 1Tb = 2^40 Bit = 1.099.511.627.776 Bit.

Sämtliche Firmen-, Produkt- und Servicenamen können Marken der jeweiligen Unternehmen sein.