Schlagwort: Micron

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron liefert die weltweit fortschrittlichste DRAM-Technologie mit 1-Beta-Node

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) verkündete heute den Versand von Qualifizierungsmustern seiner 1β- (1-beta) DRAM-Technologie an ausgewählte Smartphone-Hersteller und Chipsatz-Partner sowie die Serienreife des weltweit fortschrittlichsten DRAM-Technologieknotens. Das Unternehmen führt seine nächste Generation von Prozesstechnologie auf seinem Low-Power-Double-Data-Rate-5X-DRAM (LPDDR5X) mobilen Arbeitsspeicher ein, die einen Höchstgeschwindigkeitsgrad von 8,5 Gigabits (Gb) pro Sekunde erreicht. Der Knoten sorgt für eine erhebliche Steigerung von Leistung, Bit-Dichte und Energieeffizienz, was zu weitreichenden Marktvorteilen führen wird. Über den mobilen Aspekt hinaus bietet 1β einen DRAM mit niedriger Latenz, geringem Energieverbrauch und starker Leistung, der für die Unterstützung extrem reaktiver Anwendungen, Echtzeit-Dienstleistungen, Personalisierung und Kontextualisierung von Erfahrungen, von intelligenten Fahrzeugen bis zu Datenzentren, essenziell ist. 

1β ist der modernste DRAM Prozessknoten der Welt und steht für den Ausbau von Microns Marktführerschaft, die 2021 durch den Massenversand von 1α (1-alpha) begründet wurde. Der Knoten bietet eine ungefähr um 15 % verbesserte Energieeffizienz sowie eine mit 16 Gb pro Die-Kapazität um über 35 % verbesserte Bit-Dichte.1

„Die Einführung unseres 1-beta-DRAM steht für einen weiteren Vorwärtsschritt in der Speicherinnovation, die durch unsere firmeneigene multistrukturelle Lithographie kombiniert mit bahnbrechender Prozesstechnologie und hochmodernen Werkstoffkompetenzen ermöglicht wird“, sagt Scott DeBoer, geschäftsführender Vizepräsident für Technologie und Produkte bei Micron. „Dieser Knoten bietet die höchstentwickelte DRAM-Technologie der Welt, mit mehr Bits pro Speicher-Wafer als jemals zuvor. Er schafft die Grundlage für die Einführung einer neuen Generation von datenintensiven, intelligenten und energieeffizienten Technologien – von der Edge bis zur Cloud.“ 

Dieser neue Meilenstein folgt mit Spitzengeschwindigkeit Microns Markteinführung des ersten 232-Layer-NAND der Welt im Juli, das noch nie dagewesene Leistung und Flächendichte für Speicher präsentiert. Mithilfe dieser neuen, weltersten Errungenschaften legt Micron das Tempo für den Markt für Arbeits- und Datenspeicherinnovationen vor – ermöglicht durch die feste Verankerung des Unternehmens in zukunftsweisender Forschung und Entwicklung sowie Herstellungsverfahrenstechnologie. 

Mit dem LPDDR5X-Testprodukt wird das mobile Ökosystem als erstes von den erheblichen Vorteilen des 1β DRAM profitieren, das zukunftsweisende mobile Innovation und fortschrittliche Smartphone-Erfahrungswerte ermöglicht – mit geringerem Energieverbrauch. Mit der Geschwindigkeit und Dichte von 1β verlaufen Anwendungsfälle mit hoher Bandbreite reibungsloser und reaktionsfähiger beim Herunterladen, Inbetriebnehmen und simultaner Nutzung von datenintensiven 5G- und KI-Anwendungen (künstliche Intelligenz Apps). Zusätzlich verbessert 1β-basierten LPDDR5X nicht nur die Inbetriebnahme von Smartphone-Kameras, Nacht- und Porträtmodus mit Geschwindigkeit und -Schärfe, sondern ermöglicht auch verwacklungsfreie, hochauflösende 8K-Videoaufnahmen sowie intuitive telefonische Videobearbeitung. 

Der geringe Energieverbrauch pro Bit der 1β-Prozesstechnologie bietet die bis dato energieeffizienteste Speichertechnologie auf dem Smartphone-Markt. Dies ermöglicht Smartphone-Herstellern, Geräte mit einer verbesserten Batterielebensdauer zu entwerfen – eine sehr bedeutsame Entwicklung angesichts der energie- und datenintensiven Apps von heute. 

Auch mit den bei diesem 1β-basierten LPDDR5X implementierten, neuen durch JEDEC verbesserten dynamischen Spannungs- und Frequenz-Skalierungserweiterungs-Kerntechniken (eDVFSC) lässt sich Energie sparen. Der Zusatz von eDVFSC bei doppelter Frequenzstufe von bis zu 3.200 Megabits pro Sekunde2 sorgt für verbesserte Energieeinsparungen und somit für eine effizientere Energiekontrolle, je nach Nutzungsmuster des Endverbrauchers.

Micron fordert die Gesetze der Physik heraus mit anspruchsvoller Lithographie und Nanofertigung

Der branchenerste 1β-Knoten von Micron ermöglicht eine höhere Speicherkapazität bei geringerem Volumen, was niedrigere Kosten pro Daten-Bit möglich macht. DRAM-Skalierung wird hauptsächlich durch diese Fähigkeit definiert, mehr und schnellere Speicherung pro Quadratmillimeter des Halbleiterbereichs bereitzustellen, wozu die Schaltkreise verkleinert werden müssen, damit Milliarden von Speicherzellen auf einen Chip von der Größe eines Fingernagels passen. Seit Jahrzehnten verkleinert die Halbleiterbranche mindestens alle zwei Jahre mit jedem neuen Prozessknoten die Geräte; allerdings werden durch die immer kleiner werdenden Chips beim Entwurf von Schaltkreismustern auf Wafern die Gesetze der Physik herausgefordert. 

Während in der Branche immer häufiger ein neues Instrument mit extrem starkem UV-Licht genutzt wird, um diese technischen Herausforderungen zu meistern, hat Micron diese noch junge Technologie geschickt umgangen, indem es sich seiner bewährten und branchenführenden Kompetenz in Nanofertigung und Lithographie bedient hat. Dabei werden die firmeneigenen, hochmodernen multistrukturellen Techniken und Immersionsfähigkeiten einbezogen, um diese winzigen Funktionen mit Hochpräzision zu gestalten. Die durch diese Verkleinerung erreichte, größere Kapazität wird Geräten mit kleinem Formfaktor wie Smartphones und IoT-Geräte einen größeren Speicher in kompakten Gehäusen ermöglichen. 

Um mit 1β und 1α diesen Wettbewerbsvorteil zu erreichen, hat Micron in den letzten Jahren seine Produktionsvortrefflichkeit, Ingenieursleistungen sowie zukunftsweisende Forschung und Entwicklung aggressiv vorangetrieben. Dank dieses beschleunigten Innovationsprozesses gelang Micron der beispiellose Coup mit der Einführung des 1α Knotens – ein Jahr vor der Konkurrenz – was seine Führungsposition auf dem DRAM und NAND-Markt etablierte; zum ersten Mal in der Unternehmensgeschichte.3 In den letzten Jahren hat Micron weitere Milliarden US-Dollar in die Umwandlung seiner Mikrochip-Herstellungsanlagen zu zukunftsweisenden, hoch automatisierten nachhaltigen und KI-orientierten Produktionsstandorten investiert. Dies umfasst Investitionen in Microns Werk in Hiroshima, Japan, das 1β-DRAM serienmäßig herstellen wird. 

1-beta legt das omnipräsente Fundament für eine besser vernetzte nachhaltige Welt

Während energieintensive Anwendungsfälle wie Maschine-zu-Maschine-Kommunikationen, KI und maschinelles Lernen immer mehr an Fahrt aufnehmen, werden energieeffiziente Technologien immer wichtiger für Unternehmen; insbesondere jene, die strenge Nachhaltigkeitsziele erreichen und Betriebskosten senken wollen. Forschungsergebnisse zeigen, dass die Ausbildung eines einzigen KI-Modells fünfmal so viel Kohlenstoffemissionen erzeugt, wie ein amerikanisches Auto während seines gesamten Lebenszyklus, einschließlich seiner Herstellung. Außerdem wird die Informations- und Kommunikationstechnologie laut Prognose bis 2030 bereits 20 % der Elektrizität weltweit verbrauchen.

Microns 1β DRAM-Knoten bietet eine vielseitige Grundlage für Fortschritte in der Energieinnovation in einer vernetzten Welt, die schnelle, omnipräsente und energieeffiziente Speicher benötigt, um die Digitalisierung, Optimierung und Automatisierung voranzutreiben. Der auf 1β erschaffene Speicher mit hoher Dichte und geringem Energieverbrauch ermöglicht einen energieeffizienteren Datenfluss zwischen datenintensiven Smart-Geräten, -Systemen und -Anwendungen sowie mehr Informationsübertragung von der Edge zur Cloud. Innerhalb des nächsten Jahres wird das Unternehmen sein restliches Portfolio aus eingebetteten, Rechenzentrums-, Kunden-, Verbraucher-, industriellen und Automobilsegmenten, einschließlich Grafikspeicher, Speicher mit hoher Bandbreite und vieles mehr, auf 1β aufbauen. 

Ressourcen

###

Wir sind Branchenführer im Bereich innovative Arbeits- und Datenspeicherlösungen, welche die Art und Weise verändern, wie die Welt Informationen nutzt, um das Leben für alle zu bereichern. Mit einem unermüdlichen Fokus auf unsere Kunden, Technologieführerschaft sowie hervorragende Herstellungs- und Betriebsqualität bietet Micron über unsere Marken Micron® und Crucial® ein reichhaltiges Portfolio an leistungsstarken DRAM-, NAND- und NOR-Arbeits- und Datenspeicherprodukten an. Jeden Tag fördern die Innovationen, die unsere Mitarbeiter entwickeln, die Datenwirtschaft und ermöglichen Fortschritte bei künstlicher Intelligenz und 5G-Anwendungen, die Chancen eröffnen – vom Rechenzentrum bis hin zum Intelligent Edge wie auch über Client- und Mobilgerätenutzer hinweg. Mehr über Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) erfahren Sie unter micron.de.

© 2022 Micron Technology, Inc. Alle Rechte vorbehalten. Informationen, Produkte und Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Micron, das Micron Logo und alle anderen Micron Marken sind Eigentum von Micron Technology, Inc. Alle sonstigen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

1 Über die vorherige Generation von 1-alpha

2 Im Vergleich zu 1.600 Megabits pro Sekunde ermöglicht durch DVFSC für 1-alpha

3 Folgt mit Spitzengeschwindigkeit Microns Massenversand seines branchenführenden 176-Layer-NAND im November 2020

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron kündigt Verfügbarkeit von „DID Agnostic“ Server DRAM an

Micron Technology hat neue Informationen bezüglich der Verfügbarkeit und der Rückkehr zu seinem Design-ID (DID) Agnostic Server DRAM-Hardwareprogramm veröffentlicht, um die Geschäftsabwicklung für kommerzielle Vertriebspartner und Kunden zu vereinfachen.

Das Unternehmen gibt bekannt, dass Design-ID Agnostic Server-DRAM-Speicher ab heute wieder verfügbar ist. Diese Änderung bedeutet weniger SKUs, die im Laufe der Zeit nachverfolgt und verwaltet werden müssen, da die Micron-Teilenummer (MPN) über mehrere Jahre hinweg gültig ist und konsistent bleibt, was zu einer einfacheren Bestandsverwaltung für Vertriebspartner und Kunden führt.
Darüber hinaus ermöglicht die Umstellung eine bessere Lieferverfügbarkeit für Vertriebspartner und Kunden, die Bestellungen mit einer gemeinsamen Teilenummer einreichen können. Micron kann dadurch das am besten verfügbare kompatible Element liefern, um Probleme mit nicht vorrätigen Produkten zu lösen und mögliche Lieferverzögerungen zu vermeiden.

Kent Smith, Senior Manager für Server DRAM Produktmarketing, Micron Commercial Products Group: „Indem wir unseren Vertriebspartnern und Kunden Design-ID Agnostic Server DRAM Speicher anbieten, sorgen wir für mehr Flexibilität und einen vereinfachten Ansatz für die Verwaltung des Server-Speicherbestands. Unser Ziel ist es, ihr bevorzugter Lieferant zu sein, indem wir Programme entwickeln, die es einfach machen, mit Micron zusammenzuarbeiten.

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron liefert weltweit ersten 232-Layer-NAND aus

BOISE, Idaho, 26. Juli 2022 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) gab heute bekannt, dass das Unternehmen mit der Massenproduktion des weltweit ersten 232-Layer-NAND begonnen hat. Diese Lösung wurde mit branchenführenden Innovationen entwickelt, um eine beispiellose Leistung für Speicherlösungen zu erzielen. Der NAND verfügt über die höchste Flächendichte der Branche; Im Vergleich zu früheren Micron NAND-Generationen bietet er eine höhere Kapazität und eine verbesserte Energieeffizienz, so dass er die datenintensivsten Anwendungsfälle vom Client bis zur Cloud optimal unterstützt. 

„Der 232 Schichten umfassende NAND von Micron ist ein Wendepunkt für die Speicherinnovation. Denn er ist der erste Beweis für die Fähigkeit, 3D NAND in der Produktion auf mehr als 200 Schichten zu skalieren“, so Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology and Products bei Micron. „Diese bahnbrechende Technologie erforderte umfangreiche Innovationen. Darunter fortschrittliche Prozessfähigkeiten zur Herstellung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis, neuartige Materialien und bahnbrechende Designverbesserungen, die auf unserer marktführenden 176-Layer-NAND-Technologie aufbauen.“  

Führende Technologie liefert unübertroffene Leistung

Da die Welt immer mehr Daten generiert, müssen Kunden ihre Speicherkapazität und Leistung steigern. Gleichzeitig müssen sie den Energieverbrauch senken und strengere Anforderungen an die ökologische Nachhaltigkeit erfüllen. Die 232-Layer-NAND-Technologie von Micron bietet den erforderlichen Hochleistungsspeicher, um fortschrittliche Lösungen und Echtzeitdienste zu unterstützen. Diese werden in Rechenzentren und im Automobilbereich benötigt. Außerdem erleichtert diese Technologie reaktionsschnelle, immersive Erlebnisse auf mobilen Geräten, Unterhaltungselektronik und PCs. Der Technologieknoten ermöglicht die Einführung der branchenweit schnellsten NAND-E/A-Geschwindigkeit – 2,4 Gigabyte pro Sekunde (GB/s) –, um die Anforderungen von datenzentrierten Arbeitslasten wie künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen, unstrukturierten Datenbanken und Echtzeitanalysen sowie Cloud Computing mit niedriger Latenz und hohem Durchsatz zu erfüllen.1 Diese Geschwindigkeit entspricht einer 50 % schnelleren Datenübertragung als die schnellste Schnittstelle, die auf dem 176-Schichten-Knoten von Micron möglich ist.2 Der 232-Layer-NAND von Micron bietet außerdem eine bis zu 100 % höhere Schreibbandbreite und eine mehr als 75 % höhere Lesebandbreite pro Chip als die vorherige Generation.2 Diese Vorteile pro Chip führen zu Leistungs- und Energieeffizienzsteigerungen bei SSDs und eingebetteten NAND-Lösungen.

Darüber hinaus ist der 232-Layer-NAND der weltweit erste TLC-Produktions-NAND mit sechs Ebenen.3 Er verfügt über die meisten Ebenen pro Die aller TLC-Flashspeicher3 und bietet unabhängige Lesefähigkeit auf jeder Ebene. Die Kombination aus hoher E/A-Geschwindigkeit, Lese- und Schreiblatenz und der Sechs-Ebenen-Architektur von Micron sorgt für erstklassige Datenübertragungen in vielen Konfigurationen. Diese Struktur sorgt für weniger Kollisionen zwischen Schreib- und Lesebefehlen und für Verbesserungen der Servicequalität auf Systemebene.

Der 232-Layer-NAND von Micron ist der erste NAND in der Produktion, der NV-LPDDR4 unterstützt. Dabei handelt es sich um eine Niederspannungsschnittstelle, die im Vergleich zu früheren E/A-Schnittstellen Einsparungen von mehr als 30 % pro Bit ermöglicht. Daher bieten 232-Schichten-NAND-Lösungen die ideale Unterstützung für mobile Anwendungen und Einsätze im Rechenzentrum und an der Intelligent Edge, die eine verbesserte Leistung mit einem geringen Stromverbrauch in Einklang bringen müssen. Die Schnittstelle ist auch rückwärtskompatibel, um ältere Controller und Systeme zu unterstützen.

Der kompakte Formfaktor des 232-Layer-NAND bietet den Kunden Flexibilität bei ihren Designs und ermöglicht gleichzeitig die höchste TLC-Dichte pro Quadratmillimeter, die jemals produziert wurde (14,6 Gb/mm2).3 Die Flächendichte ist zwischen 35 % und 100 % höher als bei konkurrierenden TLC-Produkten, die heute auf dem Markt erhältlich sind.3 Durch die Auslieferung in einem neuen 11,5 mm x 13,5 mm großen Gehäuse ist der 232-Layer-NAND um 28 % kleiner als frühere Micron-Generationen2 und damit der kleinste verfügbare High-Density-NAND.3 Mehr Dichte auf kleinerer Fläche minimiert den Platz auf der Platine für eine Vielzahl von Anwendungen. 

NAND der nächsten Generation ermöglicht Innovationen auf allen Märkten

„Micron hat seine technologische Stellung mit aufeinanderfolgenden Fortschritten bei der Anzahl der NAND-Schichten aufrechterhalten. Es werden Vorteile wie längere Batterielebensdauer und kompaktere Speicher für mobile Geräte, bessere Leistung beim Cloud Computing und schnelleres Training von AI-Modellen ermöglicht“, so Sumit Sadana, Chief Business Officer bei Micron. „Unser 232-Layer-NAND ist die neue Grundlage und die neue Norm für End-to-End-Speicherinnovationen, die den digitalen Wandel in allen Branchen unterstützen.“ 

Die rasche Einführung des 232-Layer-NAND ist das Ergebnis der führenden Stellung von Micron in der Forschung, Entwicklung und den Fortschritten in der Prozesstechnologie. Dank der bahnbrechenden Fähigkeiten des Unternehmens können Kunden innovativere Lösungen für Rechenzentren, immer dünnere und leichtere Laptops, die neuesten mobilen Geräte und den gesamten Intelligent-Edge-Bereich anbieten. 

Verfügbarkeit

Der 232-Layern-NAND von Micron wird in Form von Komponenten und über die Crucial SSD-Verbraucherproduktlinie an Kunden ausgeliefert. 

Zusätzliche Ressourcen

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron: DDR5-Server-DRAM für Rechenzentren und Next-Gen-Serverplattformen verfügbar

BOISE, Idaho, 6. Juli, 2022 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), gab heute die Verfügbarkeit von Micron DDR5-Server-DRAM bei kommerziellen und industriellen Vertriebspartnern bekannt, um die Industriequalifizierung der nächsten Generation von Intel®- und AMD®-DDR5-Server- und Workstation-Plattformen zu unterstützen. Der Wechsel zu DDR5-Speicher ermöglicht eine Steigerung der Systemleistung um bis zu 85% gegenüber DDR4-DRAM5. Der neue DDR5-Serverspeicher von Micron maximiert die Leistung für KI-, HPC- und datenintensive Anwendungen, die mehr CPU-Rechenkapazität und eine höhere Speicherbandbreite benötigen, als die DDR4-Technologie unterstützen kann.

„Angesichts des exponentiellen Datenwachstums ist die Notwendigkeit, aus diesen Daten Erkenntnisse zu gewinnen, entscheidend für den Geschäftserfolg“, so Teresa Kelley, Vice President und General Manager der Commercial Products Group von Micron. „Die Betreiber von Rechenzentren müssen die Leistung ihrer Plattformen mit fortschrittlichen Speicherfunktionen und Prozessoren maximieren. DDR5-Server-DRAM von Micron bietet eine unvergleichliche Bandbreite, um selbst die speicherintensivsten Anwendungen zu bewältigen. Micron hat beim Übergang der Branche zur DDR5-Speichertechnologie eine Vorreiterrolle eingenommen und setzt sich dafür ein, Rechenzentrumskunden und Vertriebspartner bei der Qualifizierung und Bereitschaft für DDR5-Server-DRAM zu unterstützen.“

Als weltweit führender Speicherhersteller hat Micron von Anfang an mit der JEDEC zusammengearbeitet, um die DDR5-Spezifikationen zu entwickeln. Durch das DDR5 Technology Enablement Program (TEP) – das branchenweit einzige Programm zur Förderung des DDR5-Ökosystems – hat Micron die frühzeitige DDR5-Qualifizierung in einer Vielzahl von Märkten ermöglicht. Das Programm hat über 400 Mitglieder aus mehr als 160 internationalen Unternehmen und zielt darauf ab, das DDR5-Speicherdesign und die Integration für seine Teilnehmer zu rationalisieren. Alle DDR5-DRAM-Serverspeicher von Micron sind für Next-Gen-Produktfamilien optimiert und wurden auf Komponenten und Module getestet, um unternehmenskritische Serverstandards zu erfüllen.

DDR5-fähige Server werden derzeit in Rechenzentrumsumgebungen evaluiert und getestet; Es wird erwartet, dass sie bis zum Jahr 2022 in zunehmendem Maße eingesetzt werden. Die Einführungsdatenrate für DDR5 beträgt 4800MT/s, wird aber voraussichtlich steigen, um den zukünftigen Anforderungen an die Arbeitslast in Rechenzentren gerecht zu werden. Der DDR5-Serverspeicher von Micron ist ab sofort über globale kommerzielle und industrielle Vertriebspartner erhältlich.
1: DDR5 4800MT/s bietet eine geschätzte 1,87-fache Bandbreite im Vergleich zu DDR4 3200MT/s-Modulen.
2: Die anfänglichen Einführungsgeschwindigkeiten liegen bei 4800MT/s, 5600 und 6400 werden erwartet.
3: DDR5-Einführungsgeschwindigkeiten von 4800MT/s sind 1,5x (50%) schneller als DDR4-Module mit 3200MT/s.
4: Basierend auf den anfänglichen Einführungskapazitäten unter Verwendung von 16Gb-Die-Dichten.
5: DDR5 4800MT/s bietet die geschätzte 1,87-fache Bandbreite von DDR4 3200MT/s-Modulen.

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron liefert die branchenweit erste 176-Layer-NAND-SATA-SSD für Rechenzentren

BOISE, Idaho, USA, 30. Juni 2022 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) gab heute die Markteinführung der weltweit ersten 176-Layer-NAND-SATA-SSD bekannt, die für Workloads in Rechenzentren entwickelt wurde. Die Micron® 5400 SATA SSD ist die derzeit modernste SATA-SSD für Rechenzentren. Basierend auf einer bewährten SATA-Architektur der 11. Generation ermöglicht die Micron 5400 SSD ein breites Anwendungsspektrum, liefert eine deutlich höhere Leistung als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDDs) und verlängert die Lebensdauer von SATA-Plattformen.

„Micron ist durch den 176-Layer-NAND unbestrittener SATA-Marktführer,“ sagt Alvaro Toledo, Vizepräsident und Geschäftsführer für Rechenzentrum-Speicher bei Micron. „Der hochmoderne NAND ermöglicht eine langfristige Verfügbarkeit von SATA SSDs und erweitert dabei eine bewährte Architektur, die Kundenqualifizierungen beschleunigt und vereinfacht.“ 

Modernste SATA-SSD für Rechenzentren 

Dank des innovativen 176-Layer-NAND von Micron ist die Micron 5400 die am weitesten entwickelte SATA-SSD für Rechenzentren auf dem Markt, die bewährte Leistung bietet und gleichzeitig die Produktverfügbarkeit für die nächsten Jahre unterstützt. Die Micron 5400 bietet ein breites Portfolio an Einsatzmöglichkeiten und ermöglicht es Betreibern von Rechenzentren, neue Server zu installieren oder bestehende Server aufzurüsten und dabei weiterhin die SATA-Schnittstelle zu nutzen. Kunden können weiterhin mehr aus ihren SATA-Servern herausholen, da die Leistung ausreicht, um typische Netzwerkbandbreiten auszulasten.1

Basierend auf bewährter Architektur 

Die Micron 5400 SSD verfügt über eine gängige und stabile SATA-Architektur, auf die alle wichtigen Originalhersteller vertrauen. Micron hat bereits fast 20 Millionen auf der SATA-Architektur basierenden Einheiten ausgeliefert, die weiterhin in Rechenzentren häufig genutzt wird.  Die 5400 SSD bietet eine Alternative zu 10K- und 7.2K-SATA-HDDs mit niedrigeren Kapazitäten. Kunden können das Laufwerk mit Leichtigkeit qualifizieren, verzichten dabei aber nicht auf die Unterstützung ihrer wichtigeren Infrastrukturen durch eines der führenden Anbieter von SATA SSDs. 

„Der Bedarf an SSDs für Unternehmen wird voraussichtlich bis mindestens 2026 hoch bleiben, und ich gehe davon aus, dass er dann immer noch über 26EB liegen wird“, sagte Greg Wong, Principal Analyst bei Forward Insights. „Mit dieser Ankündigung bekräftigen Micron und seine OEM-Partner ihr Bestreben, dieses wichtige Marktsegment auch in den kommenden Jahren zu unterstützen.“

Zuverlässigkeit und Ausdauer auf höchstem Niveau 

Nutzer der Micron 5400 SSD können aufgrund der Leistung, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit von geringeren Ausfallzeiten, einer längeren Nutzungsdauer pro Laufwerk und weniger Ausfällen als bei anderen gängigen SATA-SSDs profitieren. Die Zuverlässigkeit ist um 50 % höher als bei vergleichbaren SSDs. Die 5400 SSD bietet außerdem eine um 50 % längere Lebensdauer im Vergleich zu anderen SATA SSDs auf dem Markt. Diese zusätzliche Ausdauer ermöglicht es den Kunden, die Lebensdauer ihrer Server zu verlängern, verbessert somit den Return-Of-Investment und senkt die Gesamtbetriebskosten ihrer SATA SSD-basierten Plattformen. Die 5400 SSD bietet höchste Mixed-Use Write Performance ihrer Klasse, sodass Kunden die zusätzliche Lebensdauer optimal nutzen können.

„Zuverlässige IT-Lösungen sind für jedes Unternehmen von entscheidender Bedeutung“, so Senthil Reddy, Executive Director und General Manager of Servers für die Infrastructure Solutions Group bei Lenovo. „Die optimierten Server von Lenovo nutzen die bewährte Architektur der modernen SATA-SSD von Micron, um Unternehmen dabei zu helfen, Anwendungen der nächsten Generation auf einer breit angelegten Infrastruktur zu ermöglichen.“

Verfügbarkeit

Die Micron 5400 SSD wird durch eine fünfjährige Garantiezeit abgesichert – erste Kunden und Partner sind bereits beliefert worden. 

Ressourcen

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron stellt die weltweit erste 1,5 TB microSD-Karte und einen für Automotive Functional Safety zertifizierten Speicher vor

NÜRNBERG, 21. Juni 2022 — Embedded World – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), kündigt heute die Erweiterung seines Embedded-Produktportfolios und seiner Ökosystem-Partnerschaften an, um leistungsstarke Lösungen für komplexe Speicheranforderungen am Intelligent Edge zu liefern. Mit der i400 bietet das Unternehmen seinen Kunden ab sofort die microSD-Karte mit der weltweit größten Kapazität von 1,5 Terabyte (TB) an. Die für industrielle Videosicherheit konzipierte Speicherkarte ist mit dem weltweit ersten 176-Layer-3D-NAND ausgestattet, das ebenfalls von Micron entwickelt wurde. Um seine leistungsstarken, robusten Lösungen für den industriellen Markt noch besser anbieten zu können, nimmt Micron zudem neue Partner in sein Industrial Quotient (IQ) Partnerprogramm auf. Darüber hinaus gibt das Unternehmen die erste Zertifizierung der International Organization of Standardization (ISO) 26262 Automotive Safety Integrity Level (ASIL) D für seinen Low-Power-Double-Data-Rate-5-DRAM (LPDDR5) bekannt. Dieser basiert auf dem ersten marktreifen 1α (1-alpha)-Prozessknoten. Da Next-Gen-Anwendungen von Fahrerassistenzsystemen (ADAS) ein immer höheres Maß an Autonomie und Sicherheit erfordern, bestätigt diese Zertifizierung, dass der LPDDR5 von Micron die strengen funktionalen Sicherheitsstandards erfüllt – mit denen die Autonomie in intelligenten Fahrzeugen voll ausgeschöpft werden kann.

Mit der Verschmelzung von 5G, künstlicher Intelligenz (KI) und dem Internet der Dinge (IoT) erlebt die Welt eine wahre Flut von Devices in den Bereichen autonome Fahrzeuge, Videosicherheit, intelligente Fabriken, Energieinfrastruktur, Robotik, Transport, Gesundheitsversorgung und mehr. ABI[1] Research schätzt, dass es bis 2026 25 Milliarden vernetzte IoT-Geräte geben wird, von denen jedes einzelne enorme Mengen an unternehmenskritischen Daten erzeugt. Diese Daten müssen zunehmend dort gespeichert, verwaltet und analysiert werden, wo sie entstehen, um verwertbare Erkenntnisse in Echtzeit zu gewinnen. Um diese Aufgaben zu erleichtern, sind industrietaugliche Speicher erforderlich, die in der Lage sind, riesige Datensätze unter harten Bedingungen zu verarbeiten, von hohen Temperaturen bis hin zu Stößen und Vibrationen.

„Mit Edge-Geräten, die wichtige Erkenntnisse für alle Bereiche von der öffentlichen Sicherheit über die Autonomie von Fahrzeugen bis hin zu Fertigungsprozessen liefern, können es sich intelligente Anwendungen von heute nicht leisten, Kompromisse bei der Latenzzeit oder Qualität einzugehen“, so Kris Baxter, Corporate Vice President und General Manager der Embedded Business Unit von Micron. „Microns neueste hochleistungsfähige, robuste Lösungen – unsere i400 microSD-Karte für Videosicherheit und der ASIL D-qualifizierte LPDDR5 für die Automobilindustrie – werden neue Möglichkeiten für Unternehmen eröffnen und rasante Innovationen vorantreiben, die am Intelligent Edge benötigt werden.“

Diese Lösungen generieren einen höheren Mehrwert für Unternehmen am Intelligent Edge mit eigens für industrielle Anwendungen konzipierten Funktionen. Im Gegensatz zu Arbeitsspeichern und Speichermedien in Consumer-Qualität, die in industriellen Umgebungen ausfallen und zu kritischen Datenverlusten oder Betriebsunterbrechungen führen können, sind Microns i400 und Automotive LPDDR5 speziell darauf zugeschnitten, die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit zu bieten, die für die Beschleunigung von Innovationen und die Steigerung des Geschäftswerts im Edge-Bereich erforderlich sind.

Die weltweit erste 1,5 TB microSD bietet Industriespeicher für KI-gestützte Videosicherheit
Angesichts der steigenden Nachfrage nach Echtzeit-Videosicherheit wird der Markt für Internetprotokoll-Videosicherheit und Video Security-As-A-Service (VSaaS) bis 2030[2] auf 83 Milliarden US-Dollar geschätzt. Flotten-Dash-Cams, Smart Home Security, Polizeikameras und KI-fähige Überwachungskameras in Fabriken benötigen alle einen Speicher, der umfangreiche Daten verarbeiten kann. Mit der i400 bietet Micron die microSD-Karte mit der weltweit höchsten Kapazität an, die perfekt für die Videospeicherung am Netzwerkrand und hybride VSaaS-Bereitstellungen geeignet ist.

Mit der Speicherkapazität von 1,5 TB können bis zu vier Monate oder 120 Tage an Videomaterial lokal gespeichert werden, wodurch die Nutzer in der Lage sind, die in der Cloud gespeicherten Daten zu optimieren. Die hohe Kapazität reduziert die Notwendigkeit, Daten für die primäre Speicherung kontinuierlich in die Cloud zu übertragen – ein Prozess, der Netzwerkbandbreite und Betriebskosten verschlingt[3].  Kleine Unternehmen, die teure Bandbreite sparen wollen, oder abgelegene Standorte – wie Frachtschiffe oder Ölplattformen mit begrenzter Konnektivität – können stattdessen regelmäßig Daten zur Sicherung in die Cloud hochladen, während sie sich tagtäglich auf den i400-Speicher am Netzwerkrand verlassen. Die Verlagerung des Primärspeichers in den Edge-Bereich ermöglicht KI-Analysen in Echtzeit und eine schnellere Entscheidungsfindung bei intelligenten Kameras. Diese Geschwindigkeit ist besonders wichtig für kritische Entscheidungen in den Bereichen Strafverfolgung, öffentliche Gesundheit und Sicherheit.

Im Unterschied zu den meisten anderen Karten auf dem Markt, die für den Endverbraucher bestimmt sind und nur über eine begrenzte Schreibfähigkeit verfügen, wurde die i400 für den Einsatz in der Videosicherheit entwickelt und bietet Funktionen wie: 

  • Fünf Jahre lang kontinuierliche 24/7-Aufzeichnung in hoher Qualität
  • Gleichzeitige Verarbeitung von 4K-Videoaufnahmen und bis zu acht KI-Ereignissen pro Sekunde, z. B. Objekterkennung und -klassifizierung wie Nummernschild- oder Gesichtserkennung 
  • Durchschnittlich zwei Millionen Stunden bis zu einem Ausfall

Micron stellt die i400 für Kunden zur Verfügung, darunter Verkada, einem Anbieter von Cloud-basierter Gebäudesicherheit für Unternehmen. Das Unternehmen schützt mehr als 12.000 Organisationen, darunter 43 der Fortune 500, mit intelligenten Kameras. Kürzlich spendete Verkada Kameras an Unternehmen in asiatisch-amerikanischem Besitz, die sich um mehr Sicherheit bemühen, um der Zunahme von Hassverbrechen gegen Menschen asiatischer Herkunft entgegenzuwirken, welche im letzten Jahr in den USA um 339 % gestiegen sind.

„Microns industrietauglicher Speicher ist der Schlüssel zum Schutz unserer Kunden und Gemeinden, von Schulen bis hin zu großen Unternehmen, indem die höchsten Anforderungen an die Sicherheit und Speicherung von Videos erfüllt werden“, sagte Raj Misra, Vice President of Hardware Engineering bei Verkada. „Die neueste i400-Lösung sorgt für noch mehr Sicherheit, indem sie eine größere Videospeicherung am Rande des Systems und schnellere KI-Analysen in der Kamera ermöglicht – was bei Krisen besonders wichtig ist, wenn es auf schnelle Reaktionszeiten ankommt.“

Micron erhält die weltweit erste LPDDR5-Zertifizierung nach ISO 26262 ASIL D 
In ADAS-fähigen Fahrzeugen werden inzwischen über 100 Millionen Codezeilen ausgeführt und Hunderte von Tera-Operationen pro Sekunde benötigt, was mit der Rechenleistung von Rechenzentren konkurriert. Gartner® geht davon aus, dass der weltweite Markt für werksseitig eingebaute Kfz-Speicher bis 2026 auf fast 15 Milliarden US-Dollar anwachsen und sich damit von 3,3 Milliarden US-Dollar im letzten Jahr vervierfachen wird[4]. Gleichzeitig müssen die Automobilhersteller strenge funktionale Sicherheitsstandards für elektronische Systeme einhalten. Um sicherheitskritische Anwendungen wie den adaptiven Tempomat, den Spurhalteassistenten und die Erkennung von toten Winkeln zuverlässig zu betreiben, ist ein zuverlässiger und leistungsstarker Speicher unerlässlich. Er ist auch der Schlüssel zur Erschließung von ADAS-Technologien wie autonomes Parken und Ridesharing, 4D-Radar mit digitaler Bildgebung sowie Freisprecheinrichtungen, die den Weg für die vollständige Autonomie der Stufe 5 ebnen werden. 

Microns LPDDR5-Speicher für Fahrzeuge erfüllt diese Anforderungen und wurde jetzt von exida, einem renommierten Experten für Fahrzeugsicherheit, für die strengste Sicherheitsstufe ASIL D nach ISO 26262 zertifiziert. Die hohe Leistung, Energieeffizienz und geringe Latenz von LPDDR5 bieten zusätzlich den nötigen Spielraum, um mit den steigenden Bandbreitenanforderungen der nächsten Generation von Automobilsystemen Schritt zu halten. Der LPDDR5 von Micron ist jetzt in der Massenproduktion mit einer Dichte von 48 und 96 Gigabit erhältlich und bietet: 

  • Eigene On-Chip-Sicherheitsfunktionen, einschließlich der Erkennung systematischer und zufälliger Hardware-Fehler und Alarmierung des Systems, damit das Fahrzeug intelligent reagieren kann  
  • Bis zu 50 % höhere Datenzugriffsgeschwindigkeiten, die eine nahezu sofortige Entscheidungsfindung auf der Grundlage der zahlreichen Sensoren und Eingaben des intelligenten Fahrzeugs ermöglichen, z. B. Radar, Lidar, hochauflösende Bildgebung, 5G-Netzwerke und optische Bilderkennung[5] 
  • Verbesserung der Energieeffizienz um mehr als 30 %, wodurch der Stromverbrauch von Elektro- und konventionellen Fahrzeugen minimiert wird und ein umweltfreundlicherer Transport mit größerer Reichweite und geringeren Emissionen ermöglicht wird[6]

Obwohl der ISO 26262-Standard nicht ausdrücklich vorschreibt, dass der Speicher ASIL-konform sein muss, hat Micron diese branchenweit erste Zertifizierung durchgeführt und seine firmeneigenen On-Chip-Sicherheitsfunktionen entwickelt, um zu zeigen, wie wichtig der Speicher für Sicherheitsanwendungen ist. Diese einzigartigen Funktionen verringern den Aufwand für Automobilhersteller erheblich, da sie keine zusätzlichen Mechanismen zur Risikominderung einbauen müssen, was das Systemdesign vereinfacht und die Markteinführung beschleunigt. Über die Produktzertifizierung von LPDDR5 für ASIL D hinaus hat exida auch die Prozessfähigkeit von Micron zertifiziert, jedes synchrone DRAM-Produkt gemäß den Anforderungen der ISO 26262 zu entwickeln. Damit ist das Unternehmen in der Lage, schon bald weitere Lösungen in seinem Portfolio von Automotive-Lösungen auf Basis von ISO 26262 zu veröffentlichen.

Diese Zertifizierungen folgen auf Microns Meilenstein im Jahr 2021, als das Unternehmen die branchenweit erste LPDDR5-Hardware mit ASIL D-Eignung bemusterte und ein Zentrum für funktionale Sicherheit einrichtete. Dieses widmet sich der Zusammenarbeit mit Kunden im Hinblick auf die Speicheranforderungen bei der Entwicklung sicherer Automobilsysteme durch Micron-Labore in München, Detroit, Shanghai, Tokio und darüber hinaus.

Microns Industrial Quotient-Partnerprogramm gewinnt mit neuen Mitgliedern an Fahrt 
Ergänzend zu diesen Entwicklungen nimmt Micron die beiden deutschen Anbieter von Embedded- und Edge-Computing-Modulen congatec und PHYTEC in sein IQ-Partnerprogramm auf. Das IQ-Programm fördert die enge Zusammenarbeit mit Ökosystem-Partnern, um Lösungen zu entwickeln, die genau auf die anspruchsvollen Anforderungen des Industriemarktes in Bezug auf Qualität, Langlebigkeit, Robustheit und Zuverlässigkeit abgestimmt sind. Diese Eigenschaften sind für industrielle Implementierungen, wie z. B. Fabriken, die über Jahrzehnte hinweg reibungslos funktionieren müssen, von entscheidender Bedeutung.

Congatec und PHYTEC entwickeln und fertigen Computer-on- bzw. System-on-Module, die in der Medizintechnik, der industriellen Automatisierung, den erneuerbaren Energien, der Luft- und Raumfahrt, dem Transportwesen und anderen Branchen eingesetzt werden. Durch die Aufnahme dieser beiden Unternehmen aus Deutschland, werden die bewährten Speicherlösungen von Micron für den industriellen Markt breiter zugänglich und können den aufstrebenden europäischen Markt für Industrie 4.0 besser bedienen.

Durch die Aktualisierung des Produktportfolios und die Zusammenarbeit mit Partnern stärkt Micron seine Position in den Intelligent-Edge-Märkten, wodurch das Unternehmen sowohl im Automobil[7]– als auch im Industriesegment[8] eine einzigartige Position im Bereich Speicher einnimmt.

Ressourcen

GARTNER is a registered trademark and service mark of Gartner, Inc. and/or its affiliates in the U.S. and internationally and is used herein with permission. All rights reserved. Gartner does not endorse any vendor, product or service depicted in its research publications and does not advise technology users to select only those vendors with the highest ratings or other designation. Gartner research publications consist of the opinions of Gartner’s research organization and should not be construed as statements of fact. Gartner disclaims all warranties, expressed or implied, with respect to this research, including any warranties of merchantability or fitness for a particular purpose.

Über Micron Technology, Inc.
Micron Technology, Inc.ist Branchenführer im Bereich innovative Arbeits- und Datenspeicherlösungen, die die Art und Weise verändern, wie die Welt Informationen nutzt, um das Leben für alle zu bereichern. Mit einem unermüdlichen Fokus auf unsere Kunden, Technologieführerschaft sowie hervorragende Herstellungs- und Betriebsqualität bietet Micron über unsere Marken Micron® und Crucial® ein reichhaltiges Portfolio an leistungsstarken DRAM-, NAND- und NOR-Arbeits- und Datenspeicherprodukten an. Jeden Tag fördern die Innovationen, die unsere Mitarbeiter entwickeln, die Datenwirtschaft und bieten Fortschritte bei künstlicher Intelligenz und 5G-Anwendungen, die Möglichkeiten eröffnen – vom Rechenzentrum bis hin zum Intelligent Edge wie auch über Client- und Mobilgerätenutzer hinweg. Mehr über Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) erfahren Sie unter: micron.com.

© 2022 Micron Technology, Inc. Alle Rechte vorbehalten. Informationen, Produkte und/oder Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Micron, das Micron-Logo und alle anderen Micron-Marken sind Eigentum von Micron Technology, Inc. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

[1]ABI Research, IoT Market Tracker – Worldwide, 2Q 2022
[2] Allied Market Research, IP Video Surveillance and VSaaS Market By Product Type (Hardware, Software, Cloud Based Solutions, and Services) and Application (Banking & Financial Sector, Retail, Government & Higher Security, Manufacturing & Corporate, Residential, Entertainment, Healthcare, and Others) — Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2021-2030
[3] Ausgehend von einer Bitrate von 1 Megabit pro Sekunde
[4] Gartner, Semiconductor and Electronics Forecast Database, Worldwide, 1Q22 Update
[5] Vergleich von Microns LPDDR5 mit zufälliger Fehlerabdeckung mit ähnlichen Geräten ohne Sicherheitsfunktionen
[6] Vergleich von Microns LPDDR5 mit zufälliger Fehlerabdeckung mit ähnlichen Geräten ohne Sicherheitsfunktionen
[7] Marktanteil der Automobilindustrie, berechnet nach Umsatz; Gartner, Market Share: Semiconductors by End Market, Worldwide, 2021
[8] Marktanteil der Industrie berechnet nach Umsatz; OMDIA, Industrial Semiconductor Market Tracker — 4Q21 Analysis

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Mit Micron GDDR6X noch mehr Bandbreite und Kapazität

BOISE, Idaho, April 12, 2022 — Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), gibt heute die Serienproduktion seines neuen 16 GB GDDR6X-Speichers bekannt, welcher ab sofort in der NVIDIA® GeForce® RTX 3090 Ti Grafikkarte ausgeliefert wird. Der GDDR6X-Speicher bietet im Vergleich zur vorherigen 8-GB-Version eine doppelt so hohe Kapazität und eine bis zu 15 % höhere Leistung. Durch diese erweiterten Leistungsmerkmale können Endanwender gestochen scharfe Bilder, höhere Bildraten und eine höhere Leistung bei speicherintensiven Anwendungen wie Gaming und Content Creation erzielen. 

Micron bietet in der GeForce RTX 3090 Ti einen neuen Grafikspeicher mit einer Kapazität von 16 GB und der branchenweit höchsten Geschwindigkeit von 21 Gb/s an. Mit einer Leistungsfähigkeit von bis zu 24 Gb/s ist die GDDR6X-Technologie bereit für datenintensive Anwendungen der Zukunft. Darüber hinaus ist GDDR6X durch den Einsatz von Microns innovativer PAM4-Signaltechnik energieeffizienter als alle bisher erhältlichen GDDR6-Produkte.1

„Die branchenweit führenden Fähigkeiten des GDDR6X-Speichers von Micron tragen dazu bei, den anspruchsvollsten Anwendungen ein neues Maß an realitätstreuer Darstellung und Leistung zu verleihen“, sagte Mark Montierth, Vice President und General Manager von High-Performance Memory and Networking bei Micron. „Micron steht erneut an der Spitze der Speicherinnovationen für moderne Lösungen mit höchster Bandbreite und verfügt über die fortschrittliche Prozess- und Interface-Technologie, die weiterhin die Führungsrolle bei der Grafikleistung ermöglicht.“            

Da Spiele und Grafik-Rendering-Verfahren immer anspruchsvoller werden, müssen Grafikprozessoren riesige Datenmengen mit unglaublicher Geschwindigkeit verarbeiten, was den Grafikspeicher des Systems überfordern kann. Virtual-Reality-Spiele, 4K- und 8K-Monitore mit 240 Hz Bildwiederholfrequenz und intensive 3D-CAD-Anwendungen bringen Grafiksysteme an ihre Grenzen. Die Speicherbandbreite von GDDR6X ermöglicht hochauflösende Erlebnisse mit ultraschnellen Bildwiederholraten und nahezu sofortigem Rendering, was den Anwendern lebensnahe Effekte liefert. Die in die GeForce RTX 3090 Ti-Grafikkarte integrierten GDDR6X-Eigenschaften verbessern das Echtzeit-Raytracing und die Grafikverarbeitung, um immersive, kinoreife Effekte in virtuellen Welten darzustellen. Die GeForce RTX 3090 Ti verfügt über 24 GB GDDR6X und ermöglicht eine GPU-Leistung von 40 Teraflops.2

Die Geschwindigkeit von GDDR6X wird durch die innovative PAM4-Signalübertragungstechnologie von Micron erreicht. Diese hat die Art und Weise, wie Daten im Speicher übertragen werden, grundlegend verändert. Die PAM4-Signalübertragungstechnik ermöglicht es GDDR6X, die Speicherbandbreite zu erhöhen und die Systembandbreite auf bis zu 1 TB/s zu steigern. Das macht ihn zur idealen Wahl für Grafikanwendungen, die einen außergewöhnlich schnellen und stromsparenden Speicher benötigen. 

Die Einführung des 16-Gb-GDDR6X-Speichers ist ein bedeutender Meilenstein für das Wachstum von Microns Ultra-Bandwidth Solutions-Portfolio, das GDDR6 und HBM2E umfasst. Zusammen bilden beide Lösungen ein umfassendes Portfolio von Hochleistungsprodukten mit hoher Bandbreite, die für datenintensive Anwendungen entwickelt wurden.

Weitere Quellen 

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron liefert den branchenweit ersten 176-Layer-QLC-NAND in Serie aus und stellt die 2400 Client-SSD mit PCIe Gen4 vor

BOISE, Idaho, 11. Januar 2022 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), gibt heute den Start der Serienauslieferung der weltweit ersten 176-Layer-QLC-NAND-SSD bekannt. Mit der fortschrittlichsten NAND-Architektur bietet Microns 176-Layer-QLC-NAND die branchenweit führende Speicherdichte und optimierte Leistung für eine breite Palette von datenintensiven Anwendungen. Microns transformative neue NAND-Technologie wurde für Anwendungsfälle in Client- und Rechenzentrumsumgebungen entwickelt und ist jetzt mit der Einführung der Micron 2400 SSD, der weltweit ersten 176-Layer- QLC-SSD mit PCIe Gen4 für Client-Anwendungen, verfügbar. Der neue 176-Layer-QLC-NAND wird auch in ausgewählte Micron Crucial Consumer-SSDs integriert und als Komponente für Systementwickler erhältlich sein.



Der innovative 176-Layer-QLC-NAND von Micron bietet eine bei QLC-NAND-Flash noch nie dagewesene Layer-Anzahl und Dichte und folgt auf Microns Einführung des ersten 176-Layer-TLC-NAND der Branche. Darüber hinaus ermöglicht Microns 176-Layer-QLC-NAND eine um 33 % höhere E/A-Geschwindigkeit1 und eine um 24 % niedrigere Leselatenz2 als Microns Lösung der vorherigen Generation. Die Replacement-Gate-Architektur ist der einzige QLC-Flash-Speicher für die Massenproduktion, der Charge Trap mit einem CMOS-Under-Array-Design kombiniert. Diese Verbesserungen treiben die Verbreitung von QLC-SSDs auf dem Client-PC-Markt voran, der bis 2023 voraussichtlich eine Verdreifachung der QLC-Verbreitung auf über 35 % und bis 2025 einen Bitanteil von fast 80 % erreichen wird.3

„Mit der 2400 SSD baut Micron auf seine führende Position bei 176-Layer-NAND auf und treibt den Übergang zu QLC-basiertem Speicher für den Client-Markt voran“, so Jeremy Werner, Corporate Vice President und General Manager von Microns Storage Business Unit. „Wir gehen davon aus, dass die neue 2400 PCIe Gen4 SSD die Einführung von QLC in Client-Geräten erheblich beschleunigen wird, da die Technik breitere Designoptionen und erschwinglichere Kapazitäten ermöglicht.“

QLC-NAND-SSD für die alltägliche Rechenarbeit
Die Micron 2400 SSD bietet eine branchenweit führende Speicherdichte in einer preiswerten Mainstream-NVMe-SSD, die ein flexibles OEM-Lösungsdesign ermöglicht und ein kompromissloses Nutzererlebnis bietet. Mit der Kombination aus 176-Layer-NAND- und PCIe-Gen4-Technologien verdoppelt die 2400 SSD die Leistung von Microns vorheriger Generation von Client-SSDs und liefert 23 % schnellere Lesezeiten für beschleunigte Boot- und Ladezeiten.4

Die Micron 2400 SSD ist außerdem die weltweit einzige M.2 SSD mit 2TB in den Maßen von 22x30mm. Dieser Formfaktor reduziert den benötigten Platz um 63 % im Vergleich zu einer M.2 in 22x80mm, bietet Designflexibilität und macht das Laufwerk ideal für kleine, mobile Laptop-Konstruktionen. Die M.2 ist auch in den Größen 22x42mm und 22x80mm erhältlich, die alle mit einer einheitlichen Firmware ausgestattet sind, um den Aufwand bei der technischen Konfiguration zu minimieren.

Die 2400 SSD bietet eine zuverlässige Benutzererfahrung in verschiedenen Anwendungsfällen, die zum Teil durch die Host Memory Buffer-Technologie von Micron ermöglicht wird – diese erlaubt es dem Host, seine Leistung flexibel zu optimieren. Die SSD zeichnet sich durch einen niedrigen Stromverbrauch für ganztägiges, mobiles Arbeiten am Computer aus, wobei der Stromverbrauch im aktiven Leerlauf im Vergleich zur vorherigen Generation von Micron um 50 % reduziert wurde. Die Micron 2400 SSD erfüllt die Anforderungen des Intel Project Athena und ermöglicht eine reale Akkulaufzeit von mehr als neun Stunden auf Laptops, auch bei der Nutzung hochauflösender Displays.5

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Micron beschleunigt bahnbrechende Plattforminnovationen mit Fortschritten im branchenweit ersten 176-Layer-NAND- und 1-Alpha-DRAM

Computex, TAIPEI, Taiwan, 2. Juni 2021 – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) hat heute Arbeits- und Datenspeicherinnovationen in seinem Portfolio vorgestellt, die auf der branchenführenden 176-Layer NAND- und 1α (1-alpha) DRAM-Technologie sowie der branchenweit ersten Universal Flash-Speicher (UFS) 3.1-Lösung für Automobilanwendungen basieren. Die neuen Portfolio-Ergänzungen erfüllen die Unternehmensvision, datengesteuerte Erkenntnisse durch Arbeits- und Datenspeicher-Innovationen zu beschleunigen, die neue Funktionen vom Rechenzentrum bis zur Intelligent Edge ermöglichen. Der Präsident und CEO von Micron, Sanjay Mehrotra, gab die Ankündigungen während einer Computex-Keynote bekannt, in der er eine umfassende Vision für Computerinnovationen und die zentrale Rolle von Arbeits- und Datenspeichern darlegte, die es Unternehmen ermöglichen, das volle Potenzial der Datenwirtschaft auszuschöpfen. 

Micron kündigte die Lieferung seiner ersten PCIe® Gen4-Solid-State-Drives (SSDs) an, die mit dem weltweit ersten 176-Layer NAND gebaut wurden. Das Unternehmen liefert diesen Monat auch den weltweit ersten 1α Knoten-basierten LPDDR4x-DRAM. LPDDR4x ist die neueste JEDEC-Spezifikation für DRAMs der vierten Generation mit geringem Stromverbrauch und verbesserter Eingangs-/Ausgangsspannung für wesentlich geringere Leistung, dadurch ist es ideal für Mobile Computing Geräte geeignet. Zusammen stärken diese neuesten Versionen die Führungsposition von Micron im Bereich der in diesem Jahr etablierten DRAM- und NAND-Technologie.

„Wenn künstliche Intelligenz und 5G im Mainstream eingesetzt werden, schaffen sie ein dramatisches neues Datenpotenzial in der Welt nach der Pandemie“, sagte Mehrotra. „Diese Transformation bietet die Möglichkeit, Innovationen zu beschleunigen, um den Kundenbedürfnissen gerecht zu werden. Heute stellen wir neue Arbeits- und Datenspeicherlösungen vor, die Innovationen beschleunigen, von leistungsstarken Rechenzentrums-Servern und schnelleren Client-Geräten bis hin zu intelligenten Fahrzeugen an der Edge.“

Das Micron PCIe Gen4 SSD-Portfolio wurde für anspruchsvolle Client-Anwendungen entwickelt  

Die neuesten SSDs des Unternehmens, die Micron 3400 und 2450, bieten hohe Leistung und Designflexibilität bei geringem Stromverbrauch, um den täglichen Einsatz in professionellen Workstations bis zu ultradünnen Notebooks zu ermöglichen. Die Micron 3400 SSD bietet den doppelten Lesedurchsatz und einen um bis zu 85% höheren Schreibdurchsatz[1] und speist anspruchsvolle Anwendungen wie Echtzeit-3D-Rendering, computergestütztes Design, Spiele und Animation. Für Kunden, die mit der PCIe Gen4-Leistung den besten Wert suchen, bietet die Micron 2450 SSD eine äußerst reaktionsschnelle Benutzererfahrung für den täglichen Gebrauch. Die 2450 SSD ist in drei Formfaktoren erhältlich, die kleinste ist die 22×30 mm M.2, um eine immense Designflexibilität zu bieten.

„AMD hat als erster PCIe 4.0-Desktop-Prozessor und Chipsatz-Unterstützung eingeführt. Da das Ökosystem der von AMD unterstützten Plattformen weiter wächst, freuen wir uns, dass Partner wie Micron ihr Gen4-SSD-Portfolio erweitern“, sagte Chris Kilburn, Corporate Vice President und General Manager der Business Unit Client Component bei AMD. „In Zusammenarbeit mit führenden Arbeits- und Datenspeicherunternehmen wie Micron setzen wir uns dafür ein, dem PC-Markt ein neues Maß an Leistung und Effizienz zu bieten.“  

Aufgrund ihrer fortschrittlichen Energieeffizienz sind die Micron 3400 und 2450 in der Komponentenliste der Intel® Modern Standby Partner Portal-Plattform aufgeführt und erfüllen die Open Labs Testanforderungen an SSDS des Intel Project Athena®. Darüber hinaus wurden beide Micron-SSDs für die PCIe Power Speed Policy von AMD und Microsoft Windows Modern Standby validiert.

Micron liefert die weltweit ersten 1α-basierten LPDDR4x und DDR4 in der Serienproduktion aus 

Micron liefert in diesem Monat LPDDR4x in großen Mengen auf seinem führenden 1α-Knoten aus, kurz nach der Einführung der ersten 1α-Knoten-DRAM-Produkte im Januar 2021. Das Unternehmen hat außerdem die Validierung seines 1α-basierten DDR4 auf führenden Rechenzentrumsplattformen, einschließlich AMD EPYC der 3. Generation, abgeschlossen. Beide werden in den fortschrittlichen DRAM-Fertigungsanlagen von Micron in Taiwan, einschließlich der neu errichteten A3-Anlage in Taichung, serienmäßig produziert.

Die schnelle Bereitstellung von Micron 1α-basiertem Speicher auf dem Markt bietet fortschrittliche Technologie, um Innovationen von datenzentrierten Workloads auf Serverplattformen bis hin zu schlanken Verbraucher-Notebooks voranzutreiben. 1α ermöglicht Verbesserungen der Energieeffizienz für den Speicher und bringt Mobilitätsvorteile für Notebooks, indem eine längere Akkulaufzeit sowohl für die Arbeit als auch für das Lernen von zu Hause aus ermöglicht wird. Inmitten steigender Trends bei Fernarbeit und Schulbildung hat Micron eng mit führenden Systemanbietern auf der ganzen Welt zusammengearbeitet, um die steigende Nachfrage nach PCs zu befriedigen. Diese Bemühungen umfassen eine enge Zusammenarbeit mit dem führenden taiwanesischen OEM Acer bei der Integration von 1α-basierten LPDDR4x und DDR4 in Acer-Systeme.

„Unsere Mission bei Acer war es immer, die Barrieren zwischen Menschen und Technologie zu überwinden“, sagte Jason Chen, Vorsitzender und CEO von Acer. „Wir arbeiten eng mit Micron zusammen, um den fortschrittlichsten 1α-DRAM-Prozessknoten in die Acer-Systeme einzuführen und leistungsstarke, energieeffiziente PCs bereitzustellen, damit mehr Menschen auf der ganzen Welt in Verbindung bleiben können.“ 

Der 1α-Knotenprozess bietet außerdem eine 40%-ige Verbesserung der Speicherdichte und eine bis zu 20%-ige Verbesserung der Energieeinsparungen für mobile Anwendungsfälle im Vergleich zum vorherigen 1z-Knoten LPDDR4x. Diese Energieeinsparung ist ideal für Mobiltelefone, bei denen die Akkulaufzeit erhalten bleiben muss, insbesondere bei speicherintensiven Anwendungsfällen wie der Aufnahme von Fotos und Videos.

Micron präsentiert robusten Speicher, der für datenintensive Automobilsysteme entwickelt wurde 

Micron bringt Innovationen im Bereich Intelligent Edge und gibt bekannt, dass es im Rahmen seines neuen Portfolios von UFS 3.1-verwalteten NAND-Produkten für Automobilanwendungen 128 GB- und 256 GB-Dichten seines 96-Layer-NAND sampelt. Das UFS 3.1-Portfolio von Micron bietet Infotainment-Systeme mit hochauflösenden Displays und auf künstlicher Intelligenz (KI) basierenden Mensch-Maschine-Schnittstellenfunktionen und bietet den dringend benötigten Speicher mit hohem Durchsatz und geringer Latenz. 

Micron UFS 3.1 bietet eine doppelt so schnelle Leseleistung wie UFS 2.1, ermöglicht schnelle Startzeiten und minimiert die Latenz für datenintensives Infotainment im Fahrzeug und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS). UFS 3.1 bietet außerdem eine um 50 % schnellere dauerhafte Schreibleistung, um mit den lokalen Echtzeitspeicheranforderungen wachsender Sensor- und Kameradaten für ADAS-Systeme der Stufe 3+ und Black-Box-Anwendungen Schritt zu halten.[2] 

Das Marktforschungs- und Strategieberatungsunternehmen Yole Développement (Yole) prognostiziert, dass der Markt für NAND in der Automobilindustrie bis 2025 auf 3,6 Milliarden US-Dollar anwachsen wird, was einer Vervierfachung von 0,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020 entspricht.[3] Da Fahrzeuge immer mehr auf Software ausgerichtet sind, erfordern diese neuen Datenzentren Hochleistungsspeicher, um große Informationsmengen für eine nahezu sofortige Verarbeitung verfügbar zu machen. ADAS-fähige Fahrzeuge enthalten jetzt über 100 Millionen Codezeilen, die gespeichert und schnell gelesen werden müssen, um eine schnellere Benutzererfahrung und schnelle Entscheidungen am Rande zu erzielen.

„Der neue Motor des modernen Autos nutzt zentralisierte Hochleistungsrechner, um datenreiche KI-, Computer-Vision- und Multisensor-Verarbeitungsfunktionen zu steuern, was zu einem Bedarf an fortschrittlichen Speicher- und Arbeitsspeicherlösungen führt“, sagte Vasanth Waran, Senior Director von Produktmanagement bei Qualcomm Technologies, Inc. „Das UFS 3.1-Portfolio von Micron wurde speziell entwickelt und designt, um die strengen Zuverlässigkeits- und Leistungsanforderungen von Automobilumgebungen zu erfüllen. Dadurch können OEMs die Messlatte für personalisierte, anpassungsfähige und kontextsensitive digitale Cockpits höher legen. Wir freuen uns darauf, mit Micron Technology zusammenzuarbeiten, um die führenden Speicher- und Arbeitsspeicherlösungen für den Einsatz auf unseren Automobilplattformen zu optimieren.“

Micron beschleunigt mit dem Technology Enablement Program die breite Marktakzeptanz von DDR5

Micron hat auch mit seinem 2020 gestarteten Technology Enablement Program (TEP) für DDR5 bedeutende Impulse gesetzt, um die Markteinführung des neuesten DRAM zu beschleunigen und das Ökosystem auf die breite Einführung von DDR5-fähigen Plattformen vorzubereiten, die im nächsten Jahr erwartet wird. Das Programm hat inzwischen mehr als 250 Design- und technische Führungskräfte aus mehr als 100 Branchenführern vereint, darunter System- und Silizium-Enabler, Channel-Partner, Cloud-Service-Provider und OEMs. 

Kategorien
Der Tag im Überblick: Alle Meldungen

Jiahe Jinwei und Netac haben mit der Massenproduktion von DDR5-Speicher begonnen

Jiahe Jinwei und Netac stellen keine Speicherchips, sondern Speichermodule her. Das bedeutet, dass ihre Produktionslinien von der Versorgung durch Firmen wie Micron abhängig sind. Microns DDR5-Chips wurden kürzlich an mehrere Speichermarken wie die beiden zuvor genannten oder Galax geliefert. Alle diese Firmen sind nun dabei, die Massenproduktion zu testen und das Potenzial der DDR5-Technologie zu evaluieren.

Netac hat bestätigt, dass die Evaluierungsphase ihres DDR5-Speichers in Zusammenarbeit mit Marken wie ASUS oder MSI, die ihr Mainboard zum Testen geliefert haben, abgeschlossen ist. Das Unternehmen hat berichtet, dass es keine Probleme gab und der Prozess reibungslos verlief. Systeme, die mit DDR5-Speicher ausgestattet sind, haben erfolgreich in das Betriebssystem gebootet.

Der DDR5-Speicher wird die Frequenzen bis zu 4800 MHz deutlich verbessern, ohne dass eine Übertaktung angewendet wird. Diese Frequenz wird von den kommenden Intel 12th Gen Core Alder Lake Prozessoren unterstützt, die für Ende dieses Jahres erwartet werden. Zusätzlich wird DDR5 die Spannung senken und die Kapazitäten im Vergleich zur DDR4-Technologie erhöhen. Die Module, die bei Netac und Jiahe Jinwei produziert wurden, umfassen jeweils 32 GB pro Modul mit Timings von 40-40-40 und einer Nennspannung von 1,1 V.

Dies ist auch das erste Mal, dass wir die Stromversorgungsschaltung auf jedem DDR5-Modul zu sehen bekommen. Dies ist auch eine große Veränderung gegenüber DDR4, das sich auf die Stromversorgung durch den Motherboard-Chipsatz verließ.




Quelle: The first mass-produced DDR5 memory has succesfully completed its testing phase – VideoCardz.com

Die mobile Version verlassen