Die großen Speicherhersteller Samsung, SK Hynix und Micron treiben die Entwicklung von DDR6 weiter voran. Berichten zufolge hat bereits die Vorentwicklungsphase für Substrate begonnen, um frühe Prototypen zu ermöglichen.
DDR6 soll deutlich höhere Bandbreiten als DDR5 bieten, mit Zielwerten von bis zu 17,6 Gbps. Möglich wird das unter anderem durch eine neue 4×24-Bit-Subchannel-Architektur sowie potenzielle Ansätze wie CAMM2 zur Bewältigung steigender Signalanforderungen.
Die Markteinführung wird aktuell ab etwa 2028 erwartet, wobei Server-Plattformen voraussichtlich den Anfang machen.
