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KIOXIA stellt PCIe-4.0-SSDs mit Storage Class Memory vor

KIOXIA Europe, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, hat mit der Auslieferung von Mustern seiner Enterprise-NVMe-SCM-SSDs der FL6-Serie begonnen. Damit sind die NVMe-SSDs von KIOXIA ab sofort mit Storage Class Memory (SCM) verfügbar, der sich durch niedrige Latenz und hohe Belastbarkeit auszeichnet. Ausgestattet mit XL-FLASH, der SCM-Lösung von KIOXIA, schließen die Dual-Port- und PCIe-4.0-kompatiblen SSDs die Lücke zwischen DRAM und TLC-basierten Laufwerken. Sie eignen sich hervorragend für latenzsensitive Anwendungsfälle wie Caching Layer, Tiering und Write Logging. Anzeige

Basierend auf dem innovativen BiCS FLASH 3D-Flashspeicher von KIOXIA mit einem Bit pro Zelle (SLC) garantiert XL-FLASH niedrige Latenz und hohe Speicherkapazität für Rechenzentren und Unternehmen. Zwar bieten auch flüchtige Speicherlösungen wie DRAM den für anspruchsvolle Anwendungen notwendigen schnellen Zugriff, sind aber mit hohen Kosten verbunden. SCM löst dieses Problem durch Bereitstellung eines kostengünstigen, nicht flüchtigen Speichers mit hoher Dichte.

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XLR8 Gaming EPIC-X RGB Desktop Memory – Wenn einzigartige Leistung auf herausragenden RGB-Stil trifft

13. Juli 2020 – PNY Technologies, einer der weltweit führenden Anbieter für elektronisches Zubehör und Datenspeicherlösungen, kündigt die Erweiterung seines Sortiments von PC-Speichern um die XLR8 Gaming EPIC-X RGBTM DDR4 Speicher-Modelle an.

Die neue XLR8 Gaming EPIC-X RGB-Reihe bietet ein dynamisches Erlebnis für Gamer, Modder und TechEnthusiasten gleichermaßen. Sie kombiniert RGB-Anpassung mit hoher Übertaktungsfähigkeit, Hochfrequenzleistung und einem Heat-Spreader, der die Wärme des Moduls ableitet – damit man im Game immer einen kühlen Kopf bewahrt.

Der XLR8 Gaming EPIC-X RGB ist mit den meisten Mainboards kompatibel und kann leicht mit Asus AURA SYNCTM, Gigabyte RGB FUSION 2.0, MSi Mystic Light Sync und ASRock Polychrome SYNC(1) synchronisiert werden – für die ultimative RGBErfahrung.

Die übertakteten Module bieten dank der extremen Übertaktungsfähigkeiten, des Heatspreaders und der XMP 2.0 (1)-Unterstützung unvergleichliche Leistungsstärke – für ein herausragendes Gaming-Erlebnis. Sie bieten höchste Geschwindigkeiten, größte Bandbreite sowie geringste Latenz für maximale PC-Stabilität und Reaktionsfähigkeit bei der Ausführung von speicherintensiven Spielen und Anwendungen.

Der XLR8 Gaming EPIC-X RGB verfügt über eine Frequenz von 3200MHz und ist abwärtskompatibel mit 3000MHz, 2933MHz, 2800MHz, 2666MHz, 2400MHz, 2133MHz, 2800MHz, 2666MHz, 2400MHz und 2133MHz. Eine lebenslange Herstellergarantie von PNY (10 Jahre) und lokaler Kundensupport runden das Angebot ab.

Product Features des Memory Moduls:

Das geometrische 3D-Design aus Lichtleisten und die Konstruktion aus Aluminiumlegierung mit hochmodernem Oberflächenfinish verleihen dem Memory Modul ein außergewöhnliches Aussehen und eine einmalige Haptik. Gleichzeitig werden die Module dank der Wärmeableitung aktiv gekühlt.
Brillante LEDs und eine mattierte Linse sorgen für kontinuierliche Farben ohne Schatten durch die Verwendung einer zweiseitigen 5×2-LED-Konfiguration. Die RGB-Synchronisierung ermöglicht die totale Kontrolle von Farben und Mustern, wodurch eine endlose Reihe verschiedener Lichteffekte entsteht. Für die ultimative Beleuchtung ist somit gesorgt!

Technische Details :

DDR4 RGB Desktopspeicher Integrierter Wärmeverteiler Frequenz: 3200MHz (PC4-25600) Timing: 16-18-18, CAS 16, tRas36  Spannung: 1.35V

Verfügbarkeit: Der PNY XLR8 Gaming EPIC-X RGB Speicher wird ab dem 20. Juli 2020 in den folgenden Konfigurationen auf Amazon erhältlich sein:

• 32GB (2x16GB) DDR4 3200MHz Desktop Kit • 16GB DDR4 3200MHz Desktop Single • 16GB (2x8GB) DDR4 3200MHz Desktop Kit • 8GB DDR4 3200MHz Desktop Single

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Aktuelle Tests & Specials auf Hardware-Inside Arbeitsspeicher

Crucial Ballistix MAX Gaming DDR4-4000 Memory im Test

Heute möchten wir euch das neue Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory Kit (16 GB) vorstellen. Crucial wurde 1996 von Micron gegründet und ist ein Hersteller, der auf Arbeitsspeicher und SSDs spezialisiert ist. Der Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory Speicher wurde speziell für extreme Übertaktungen mit einer umfangreichen Kompatibilität für AMD und Intel entwickelt. Alles Weitere erfahrt ihr in unserem Test. Wir bedanken uns bei Crucial für die freundliche Bereitstellung des Crucial Ballistix MAX Gaming DDR4-4000 Memory-Kits.

Verpackung, Inhalt, Daten

Verpackung



Das Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory-Kit befindet sich in einer blauen hochwertigen Verpackung. Der Deckel ist so geschnitten das er an der oberen Seite einen Einblick auf den Inhalt gewährt. Damit der Deckel sich nicht einfach öffnen kann, wurde ein Magnet in den Deckel eingearbeitet. Unten auf dem Deckel ist der Crucial Schriftzug und der Name Ballistix MAX GAMING Memory in silberner Schrift aufgedruckt. Oben auf der Verpackung befindet sich ein silberner Aufkleber. Darauf steht das es sich bei unserem Kit um ein 16 GB (2 x 8 GB) Kit handelt. Außerdem finden wir darauf die Informationen über den RAM-Typ (DDR4-4000) und die Versorgungsspannung 1,35 V.




Auf der Innenseite des Deckels finden wir Hinweise zu den Crucial Social Media Auftritten. Darunter befinden sich Informationen zur Muttergesellschaft Micron. Bei geöffnetem Deckel können wir auch die beiden RAM Module geschützt hinter einer Kunststoffhülle sehen.


 

Die rechte und linke Seite ist jeweils mit dem Crucial-Logo und den Namen des Speicherkits bedruckt. Auf der Rückseite finden wir neben dem Crucial-Logo und dem Namen des Speicherkits noch allgemeine Informationen in elf Sprachen, sowie den Link zum Support. Oben rechts in der Ecke befindet eine Information zur Garantiezeit (Limited Lifetime Warranty). Durch die gewählten Farben wirkt die Verpackung sehr edel. Auch hier ist die Schrift wieder komplett in Silber aufgedruckt.

Inhalt



Im Lieferumfang befinden sich nur die beiden Module.

Technische Daten

Crucial Ballistix MAX 16 GB Kit DDR4-4000 (CL18, BLM2K8G40C18U4B)  
DRAM-Familie Ballistix
Marke Crucial
Modultyp/Formfaktor UDIMM
Technik DDR4
PC-Geschwindigkeit PC4-32000 / 4000Mhz
CAS Latenz 18
Timings 18-19-19-39
ECC NON-ECC
Spannung 1,35 V
Gesamtkapazität 16 GB (2 x 8GB)
Garantie Eingeschränkte 10 Jahresgarantie

Details



Das mehrschichtige PCB der Crucial Ballistix Max Gaming DDR4-4000 Memory Module ist komplett in Schwarz gehalten. Alle Speicherbausteine werden von den großen Aluminiumkühlkörpern komplett verdeckt. Die Gesamtbauhöhe mit Kühlkörper beträgt 38 mm. Hier sollte die Montage der meisten Tower-Kühler kein Problem darstellen


 

Die Kühlkörper sind sehr hochwertig gefertigt und ebenfalls komplett in Schwarz eloxiert. Das Design der Kühlkörper wirkt sehr schlicht, aber weist viele kleine Details auf. Es sind keine Beschädigungen oder Verformungen zu finden. Es wurde sehr sauber bei der Herstellung gearbeitet. Vorne mittig auf dem Kühlkörper ist groß BALLISTIX MAX aufgedruckt. Darunter ist noch das Crucial-Logo zu finden. Oben auf dem Kamm befindet sich noch ein Aufdruck mit dem Schriftzug Ballistix.




Auf der Rückseite befinden sich unter den schon beschriebenen Logos noch Informationen zu den Timings und der Betriebsspannung der RAM Module. Außerdem finden wir hier noch die Information das die Module XMP Profile besitzen, die zur einfachen Einstellung der Timings im UEFI genutzt werden können.

Praxis

Testsystem & Einbau



Testsystem  
CPU AMD Ryzen 9 3900X
Kühler Custom Wasserkühlung
Mainboard ASUS ROG Crosshair VIII Hero (Wi-Fi)
RAM 16 GB Crucial Ballistix Max Gaming DDR4-4000


Der Einbau ist schnell erledigt. Wir setzen die beiden Module in die RAM-Slots ein und starten unser System. Bevor wir ins Betriebssystem booten, gehen wir ins UEFI und können dort das XMP-Profil zur Konfiguration laden. Damit ist der Arbeitsspeicher in unserem System einsatzbereit. Als Nächstes schauen wir uns an wie sich der Crucial Ballistix Max Gaming DDR4-4000 RAM in der Praxis schlägt. Dazu nutzen wir die Programme AIDA64, Cinebench R15 und Prime95. Wir testen den Crucial Ballistix Max Gaming DDR4-4000 RAM dazu bei verschieden Taktfrequenzen und Timings.

Tests

 
 

Wir konnten die Crucial Ballistix Max Gaming DDR4-4000 RAM ohne weitere explizite Einstellungen vornehmen zu müssen auf 4333 MHz übertakten. Dabei lassen wir die Timings unberührt. Das ist wirklich schon ein sehr guter Wert, vor allem in Anbetracht das wir dafür nicht die Spannung und Timings erhöhen müssen. Im Vergleich zum Standardtakt erhöht sich die Speicherbandbreite und dadurch auch die Punkte in Cinebench R15. Da wir im Test auf einen AMD RYZEN 9 3900X setzen, ist hier leider nicht so viel Erhöhung der Speicherbandbreite möglich wie zum Beispiel bei einem INTEL Core i9-9900K.


 

Mit Erhöhung der Timings auf 20-22-22-22-42 ist uns noch deutlich mehr möglich. Nun können wir die Crucial Ballistix Max Gaming Module bis auf 4733 MHz übertakten, dafür müssen wir die Spannung von 1,35 V auf 1,4 V anheben. Leider sind sie unter Prime95 nicht stabil, allerdings können wir damit ohne Probleme Tomb Raider spielen und dementsprechend auch den integrierten Benchmark laufen lassen. Im Vergleich zu 4333 MHz ohne Erhöhung der Timings, ist der Vorteil in Cinebench R15 und Shadow of the Tomb Raider nur sehr gering.


 

Mit Timings von 20-21-21-21-42 erreichen wir stabile 4600 MHz. Getestet haben wir das Ganze in Prime95 für 20 Minuten. Somit können wir die Arbeitsspeicher um sehr gute 600 MHz übertakten und das, ohne die Spannung anheben zu müssen. Der Leistungsvorteil ist leider auch hier aufgrund des genutzten Systems nur gering.


 

Da die Zen2 Architektur intern auf einen Infinity Fabric Clock setzt und dieser sich automatisch mit dem Arbeitsspeicher-Takt hochtaktet und ab einem gewissen Punkt per Teiler heruntertaktet, haben wir den Arbeitsspeicher auch mit 3800 MHz getestet. Anhand der Benchmarks können wir im Vergleich zu 4000 und 4333 MHz erkennen, dass wir einen kleinen Vorteil bei der Bandbreite erkennen können. In der Praxis ist dieser allerdings kaum vorhanden.


 

Daher haben wir uns auch angeschaut, inwiefern wir bei einem Speichertakt von 3800 MHz die Speichertimings reduzieren können und wie dann der Unterschied zu einem höheren Speichertakt ausschaut. Wir konnten die Speichertimings bei 3800 MHz auf 16-17-17-39 reduzieren und liegen dann mit der Bandbreite und den Benchmarkergebnissen in Shadow of the Tomb Raider nahezu gleichauf mit 4333 MHz.

Weitere Benchmarks mit unterschiedlichem Speichertakt findet ihr in der Galerie. Crucial hat in den Modulen zusätzliche Sensoren verbaut, die es möglich machen alle relevanten Daten mit dem Ballistix® M.O.D.- Hilfsprogramm auszulesen. Dieses ist gerade beim Übertakten besonders wichtig, um hier das Maximum an Leistung aus den Modulen herauszuholen. Einen Link dazu haben wir für euch am Ende unseres Tests.

Fazit

Das Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory Kit (16 GB, CL18, BLM2K8G40C18U4B) ist für 229 € im Handel erhältlich. Für den Preis bekommt man ein sehr gut verarbeitetes und hochwertiges Speicher-Kit mit sehr hohen Standardtakt. Darüber hinaus lässt sich das Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory auch sehr gut Übertakten, allerdings sollte man sich dann sehr gut mit Overclocking auskennen. Wir geben dem Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 Gaming Memory 9 von 10 Punkten und unsere Empfehlung.

Pro:
+ Hochwertige Verarbeitung
+ Hoher Standard Takt (4000 MHz)
+ Sehr viel Leistung
+ Weitere Übertaktung möglich

Kontra:
– Preis



Wertung: 9,0/10

Software
Herstellerseite
Preisvergleich

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Der erste EUV-DRAM von Samsung ebnet den Weg für schnellere Geschwindigkeiten, niedrigere Kosten und DDR5

Zum ersten Mal überhaupt wendet Samsung die Extrem-Ultraviolett-Technologie (EUV) bei der Herstellung von DRAM-Modulen (Dynamic Random Access Memory) an und hat bereits eine Million davon in DDR4-Form ausgeliefert. Auf lange Sicht erwartet Samsung dadurch weitere hochmoderne EUV-basierte Speicherlösungen, einschließlich derer, die im nächsten Jahr in den kommenden DDR5-Speicherchips verwendet werden.

Bisher hat noch kein anderer Speicherhersteller EUV in die DRAM-Produktion übernommen, so dass sich Samsung in dieser Hinsicht ein wenig Prahlerei verdient hat. Wichtiger für die Kunden ist, dass dies möglicherweise zu niedrigeren Preisen aufgrund besserer Erträge und schnellerer Leistung führen könnte. Inwieweit dies der Fall sein wird, bleibt jedoch abzuwarten, aber wir sollten es bald herausfinden.
Der EUV-Prozess wird bereits in der Spitzentechnologie der Prozessorfertigung eingesetzt. Beispielsweise gab TSMC im Oktober letzten Jahres bekannt, dass es mit der Massenproduktion von Chips auf der Basis seiner 7-Nanometer plus (7nm+) EUV begonnen hat, die möglicherweise die kommenden Zen 3-Prozessoren von AMD unterstützen könnte. Ebenso hat Intel Pläne, 7-nm-EUV-Silizium im nächsten Jahr auf den Markt zu bringen.

Wie der Name schon sagt, nutzt EUV ultraviolettes Licht mit kurzen Wellenlängen, um Muster in das Silizium zu ritzen. Es handelt sich dabei um eine präzisere Technologie im Vergleich zu Mehrfach-Musterungen, die sich wiederholende Schritte reduzieren und die Mustergenauigkeit verbessern kann. Dies führt letztlich zu einer besseren Leistung und höheren Ausbeute mit weniger defekten Chips. Im Gegenzug senkt sie die Kosten für die Chiphersteller und verkürzt die Entwicklungszeit.

Samsung geht davon aus, dass die Umstellung auf die EUV-Fertigung ausschließlich für seine zukünftigen DRAM-Produkte erfolgen wird, und dazu gehört auch DDR5, das im Jahr 2021 herauskommen soll.
„Im Einklang mit der Erweiterung des DDR5/LPDDR5-Marktes im nächsten Jahr wird das Unternehmen seine Zusammenarbeit mit führenden IT-Kunden und Halbleiterherstellern zur Optimierung der Standardspezifikationen weiter verstärken, da es den Übergang zu DDR5/LPDDR5 im gesamten Speichermarkt beschleunigt“, sagte Samsung.

Samsung wies auch darauf hin, dass es eine zweite Fertigungslinie in Pyeontaek, Südkorea, eröffnet, da es eine „wachsende Nachfrage“ für seine DRAM-Produkte der nächsten Generation erwartet.


Quelle: Samsung Ships Industry’s First EUV DRAM Paving The Way For Faster Speeds, Lower Costs And DDR5

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Aktuelle Tests & Specials auf Hardware-Inside Arbeitsspeicher

Thermaltake Toughram RGB 3600Mhz DIMM Kit im Test

Thermaltake, ein weltweit führendes Unternehmen in der PC Hardware und Peripherie-Branche hat vor kurzem die Toughram RGB 3600Mhz RAM Kits veröffentlicht. Eigentlich eher bekannt für Gehäuse und Kühllösungen sowie Netzteile, wagt der Hersteller sich damit auf bisher unbekannteres Terrain. Wie das Debüt im Alltag abschneidet, lest ihr bei uns im Test.

Bevor wir mit unserem Test beginnen, danken wir unserem Partner Thermaltake für die freundliche Bereitstellung des Testmusters.

 

Verpackung, Inhalt, Daten

Verpackung

 

Das DIMM-Kit kommt in einer auffälligen Verpackung bei uns an, bei der man auf den ersten Blick sieht, was einen erwartet: RGB-Beleuchtung und ein Heatspreaderdesign, das sich klar von der Masse absetzt. Oben rechts auf der Verpackung ist noch die Kit-Größe, in unserem Fall 2x 8GB sowie der Speichertakt – 3600MHz – aufgedruckt. Auf der Rückseite finden wir noch einige Informationen mehr in diversen Sprachen, unter anderem auch die Latenzen, welche bei unserem Kit bei CL 18-22-22-42 liegen.

 

Lieferumfang


 

Zum Lieferumfang gibt es allgemein bei RAM nicht viel zu sagen. Das Speicherkit wird in einem durchsichtigen Plastikblister geliefert, in welchem die RAM-Riegel eingepasst sind. Die auf Spiegelglanz polierten Alu-Einlagen sind zusätzlich noch mit einer Folie vor Fingerabdrücken geschützt – das war es dann auch schon.

 

Daten
Hersteller Thermaltake Toughram 3600Mhz 2x 8GB DIMM-KIT
Kitgröße 2x 8GB
Speichertakt DDR4-3600Mhz
Voltage 1.35V
Registered/Unbuffered Unbuffered
Formfaktor 288-pin DIMM
Timings 18-22-22-42
Besonderheiten Intel XMP 2.0 (Extreme Memory Profile), RGB beleuchtet

 

Details

 


Der Arbeitsspeicher verfügt über ein schwarzes PCB mit imposanten Heatspreadern aus gebürstetem Aluminium. Auf den Heatspreadern sitzt eine weiße Kunststoffschicht, in der die RGB LEDs versteckt sind. Im linken Drittel sind zudem noch zwei Designelemente aus poliertem Aluminium. Durch Einkerbungen im 45° Winkel wird das ansonsten geradlinige Design etwas aufgelockert und verleiht dem RAM somit ein modernes aber nicht aufdringliches Design, welches zusätzlich noch das TT Premium – Logo darstellt. Mit knapp 80 Gramm sind die DIMMs verhältnismäßig schwer – was zusätzlich zur guten Verarbeitung eine gewisse Wertigkeit verleiht. Die Höhe der Toughram – Riegel liegt bei ~49mm, man muss bei der Wahl des CPU-Kühlers also definitiv aufpassen.

 

Praxis

Testsystem  
Prozessor Ryzen 5 2600
Prozessorkühler be quiet! Silent Loop 280mm
Mainboard MSI B450 Gaming Plus
RAM 2x 8GB Thermaltake Toughram 3600Mhz
Grafikkarte Sapphire Radeon Vega 64 Nitro +
SSD/HDD 1x Crucial MX500 500GB
Gehäuse MSI MPG Sekira 500X
Netzteil Cooler Master Reactor 750W

 



Der Einbau verlief verständlicherweise sehr schnell und unkompliziert. Beim ersten Blick im BIOS, in das wir durch den Arbeitspeicherwechsel beim ersten Systemstart gelotst wurden, liefen die DIMMs mit 2933MHz, das für den Ryzen 5 2600 spezifizierte Maximum. Beide Riegel wurden problemlos erkannt. Wir wechselten das A-XMP Profil auf 3600Mhz und von unserem BIOS wurden sofort die richtigen Timings und Taktraten erkannt. Danach einen Restart und wir überprüften die Daten nochmals mit AIDA64 sowie CPU-Z – auch hier war alles wie versprochen.



 


Wie auf den Bildern zu sehen ist, setzen wir auf das neueste BIOS Agesa 1.0.0.3ABBA, welches für unser Mainboard freigegeben ist. Dank diesem sind auf unserem System überhaupt die Taktraten von 3600Mhz möglich. Die Benchresultate sprechen für sich: Beeindruckende 52343MB/s beim Lesen, 49779MB/s beim Schreiben und 44288MB/s beim Kopieren sind definitiv beachtlich für ein Standard-XMP Profil. Auch die Latenz von 68.3 Nanosekunden ist definitiv nicht von schlechten Eltern, sodass wir auf jede Menge „Leistung“ zugreifen können. Weiteres Übertakten war leider auch mit der Spannungskeule nicht möglich, was allerdings nicht nur auf den RAM, sondern insbesondere auf die RAM – Kompatibilität von Ryzen 2nd Gen Speichercontrollern zurückzuführen ist.



 

Zu guter Letzt schauen wir uns das Programm von Thermaltake an, mit dem wir in der Lage sind, verschiedene Informationen abzurufen oder, was wohl der Hauptnutzungsgrund ist, die RGB-Beleuchtung zu steuern. Während man auf Seite 1 die groben Daten (Latenz, Speichertakt) und den Loadstatus ablesen kann, kann man auf der zweiten Seite die Beleuchtung steuern. Was den Toughram von Thermaltake von der Masse der RGB-LED DIMM-Kits abhebt, ist hier leicht zu sehen: Man hat nämlich die Möglichkeit, jede LED individuell anzusteuern und eine Farbe zuzuordnen. Dasselbe kann man natürlich auch mit jedem RAM-Riegel machen. Zudem kann man den einzelnen Riegeln auch verschiedene Effekte zuordnen, sodass einer beispielsweise die Beleuchtung im „Breathing-„Modus anzeigt, während der andere statisch leuchtet. Diese Effekte kann man in einem von 5 Profilen speichern, die dann jederzeit über das Programm in Echtzeit geändert werden können.



 

Auf der dritten Seite kann man sich die DIMMs quasi als „Notification“ einrichten, sodass bei bestimmten Load % oder Temperaturen auf eine Farbe gewechselt wird. Alternativ kann man hier auch Grenzwerte eintragen, bei denen man benachrichtigt wird, wenn die CPU oder der RAM-Speicher zu heiß werden, und man darauf hingewiesen wird, den PC herunterzufahren bevor Schaden entsteht. An sich ist die Idee nett gemeint, in der Praxis aber dank der CPU-eigenen Temperaturmessungen größtenteils irrelevant, da die CPU im Notfall throttled oder den PC automatisch herunterfährt, bevor es zu ernsthaften Schäden kommen kann. Auf der letzten Seite kann man die Update-Politik des Programmes einstellen, das Verhalten nach Systemstart und..Geo-Localization einschalten um Wetter-Updates zu bekommen. Ist bestimmt nice to have, aber in einer Software für Arbeitsspeicher irgendwie fehl am Platze.

Für alle Neugierigen haben wir hier einmal ein Foto der Beleuchtung sowie ein GIF in verschiedenen Farben eingefügt, damit ihr euch in etwa ein Bild davon machen könnt, wie die RGB-LEDs im realen Betrieb aussehen.

 

Fazit

Das von uns getestete DIMM-Kit Toughram 3600Mhz von Thermaltake mit 16GB Kapazität ist derzeit ab 139,90 im Handel erhältlich. Dafür gibt es Leistung satt, ein schönes, zeitloses Design und die wohl anpassbarste LED Beleuchtung in der Sparte Arbeitsspeicher. Der Preis ist zwar ein wenig höher als bei der Konkurrenz, dafür bekommen wir aber auch mehr Leistung und mehr Freiheit in der Individualisierung – und das Out-of-the-Box. Gepaart mit einer sehr umfangreichen und gut funktionierenden Software – wenn auch mit mindestens einem fragwürdigen Unterpunkt (was hat Wetter mit RAM zu tun?) – haben wir ein rundes Gesamtpaket, dem wir unsere Empfehlung der Spitzenklasse aussprechen.

Pro:
+ Sehr gute Leistung
+ RGB-LED Beleuchtung
+ Mit Software jede LED einzeln ansteuerbar
+ Schönes Design

Kontra:
– N/A

Neutral:
o Gesamthöhe von 48.5mm kann mit Kühlern kollidieren


Aufgrund der oben genannte Punkte vergeben wir unsere Spitzenklasse-Empfehlung zusammen mit 9.6/10 möglichen Punkten.



Wertung: 9.6/10

Herstellerseite
Software
Preisvergleich

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GEIL bringt die EVO X II und EVO X II ROG-zertifizierten und Ryzen 3000-optimierten Editionen auf den Markt

GEIL, Golden Emperor International Ltd. – einer der weltweit führenden Hersteller von PC-Komponenten und Peripheriegeräten hat heute neue Editionen für seinen EVO X- und EVO X ROG-zertifizierten RGB-Gaming-Speicher herausgebracht.

Die neuen EVO X II und EVO X II ROG-zertifizierten Modelle übernehmen die Vorgängergeneration und bieten ein modernes modderfreundliches „kabelloses“ RGB-Beleuchtungsdesign für einen faszinierenden RGB-Beleuchtungseffekt ohne lästiges Kabelmanagement. Der EVO X II Speicher wurde mit herausragenden Komponenten hergestellt und ist darauf ausgelegt, versteckte Übertaktungsmöglichkeiten und eine umfassende Kompatibilität mit den neuesten AMD Ryzen- und Intel-Plattformen der 3. Generation freizuschalten. Der GeIL EVO X II ROG-zertifizierte RGB-Gaming-Speicher unterstützt die ASUS AURA-Lichtsteuerungs-App perfekt. In Verbindung mit den meisten ASUS ROG-Motherboards wird eine automatische Leistungssteigerung für ein besseres Übertaktungserlebnis aktiviert.

Die EVO X DDR4-Serie ist eines der ersten RGB DDR4-Speichermodule in der Branche und brachte von den Spielern und PC-Enthusiasten auf der ganzen Welt großes Lob ein. Die neuen EVO X II- und EVO X II ROG-zertifizierten Geräte mit „kabellosen RGB-Beleuchtungsdesign“ bieten RGB-Beleuchtung ohne Stromkabel oder das Erfordernis eines fortschrittlichen Kabelmanagements. Der EVO X II ist in einem neuen Design in Stahl-Schwarz und Frost-Weiß erhältlich und verfügt über hochwertiges Aluminium, für eine bessere Wärmeableitung und zusätzliche Stabilität.

GeIL EVO X II ROG-zertifizierter RGB-Gaming-Speicher setzt den hervorragenden Ruf der Vorgängergeneration fort und bietet synchronisierte RGB-LED-Beleuchtung mit ASUS AURA RGB. GeIL EVO X II ROG-zertifizierter Speicher eignet sich für die meisten ASUS ROG-Motherboards, um beide Geschwindigkeiten zu maximieren und Kompatibilität. Es unterstützt perfekt die neueste ASUS AURA RGB-Lichtsteuerungs-APP ohne Kabel, die mit dem Motherboard verbunden sind. Außerdem wird es automatisch mit ASUS ROG-Grafikkarten und anderen RGB-UI-kompatiblen Komponenten synchronisiert.

Mit der eingeschränkten lebenslangen Garantie ist der GeIL EVO X II in Frequenzen von 2400 MHz erhältlich und skaliert bis zu 4133 MHz. Um die neuesten AMD Ryzen-Plattformen der 3. Generation in vollem Umfang nutzen zu können, veröffentlicht GeIL auch die optimierte EVO X II AMD-Edition. Vor allem wurde diese AMD-Edition für eine große Anzahl von AMD X570 AM4-Motherboards und AMD Ryzen-Prozessoren der 3. Generation strengstens überprüft, um die beste Kompatibilität und ein besseres Spielerlebnis für alle AMD-Builder zu gewährleisten.

Weitere Informationen finden Sie auf den Produktseiten der EVO X II, EVO X II AMD Edition und EVO X II ROG-zertifiziert.

Quelle: techpowerup

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Thermaltake stellt neue DDR4 Speichermodule vor

Norderstedt, 07. Mai 2019 – Thermaltake, die führende PC DIY-Premium-Marke für Kühl-, Gaming-Zubehör und Enthusiast-Equipment, stellt die neuen 8GB DDR4 Speichermodule mit 2400MHz und 2666MHz vor. Die Speichermodule wurden für den normalen so wie für den Gaming Bereich entwickelt um das Produktportfolio von Thermaltake zu erweitern und bringt somit das Konzept auf die nächste Stufe. Die Thermaltake 8GB DDR4 Speichermodule umfassen zur Markteinführung zwei verschiedene Modelle: 2400 MHz und 2666 MHz, die sich an eine breite Palette von PC-Gamern, Enthusiasten und normalen Endverbrauchern richten soll. Jedes Speichermodul durchläuft einen rigorosen Prozess der Untersuchung, Beobachtung, Erprobung, Umgestaltung und Herstellung, um die Zufriedenheit der Kunden zu gewährleisten. Die 8GB DDR4 Speichermodule verfügen über eine lebenslange Garantie, einer Geschwindigkeitsrate von PC4-19200 und PC4-21300 und einer Kompatibilität für Intel X299, 300, 200 100 Series sowohl für AMD 300, 400 Series. Zudem sind die 8GB DDR4 Speichermodule sehr stabil, leistungsstark in der Performance und sind zu gleich auch XMP 2.0 Ready.

Besondere Merkmale der Thermaltake 8GB DDR4 RAM Speicher:

  • Stabile Arbeitsspeicher
  • Sehr gute Performance
  • XMP 2.0 Ready
  • Langzeitgarantie
  • Unterstützung von X299, 300, 200, 100 Serie AMD 300, 400 Serie
  • Geschwindigkeitsrate von 2400 MHz und 2666MHz
  • 1024Mx8 / 288Pin U-DIMM

8GB Große DDR4-Module von Thermaltake

Es handelt sich hier um den ersten 8GB DDR4-RAM von Thermaltake. Die DDR4  Speichermodule sollen ausschließlich in den Varianten 2400MHz und 2666MHz mit einer Reaktionszeit von 17-17-17-39 und 19-19-19-43 auf den deutschen Markt gebracht werden.

XMP 2.0 Ready

Mit dem Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP) kann der Verbraucher Arbeitsspeicher, zum Beispiel kompatible DDR4-Speichermodule, übertakten und dadurch die Gaming-Eigenschaften deines PCs mit Intel Inside® verbessern. Verschaffe dir diesen entscheidenden Vorteil und zeige deinen Gegnern, wer in der Gaming-Welt das Sagen hat!

(Quelle: Intel)

Performance Speichermodule

Durch die ausgeklügelte Technologie entwickelt Thermaltake erstmals ihre neuen 8GB DDR4 Speichermodule in der Größe 2400MHz und 2666MHz 1024Mx8/288Pin U-DIMM für Gaming-Fans, Otto Normalverbraucher und Enthusiasten. Besonderes Merkmal des Speichermoduls ist seine Kompatibilität mit XMP 2.0, seine Reaktionszeit, die Lebenslange Garantie, eine hohe Performance und eine gute Stabilität

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Toshiba Memory Europe präsentiert branchenweit erste SSD mit 96-Layer-3D-Flashspeicher

Düsseldorf, 24. Juli 2018 – Toshiba Memory Europe GmbH, europäischer Geschäftszweig der Toshiba Memory Corporation, stellt mit der XG6-Serie neue Solid State Drives (SSDs) vor, die auf 96-Layer BiCS FLASH 3D Flash Memory basieren. Sie sind die ersten SSDs (1), die diese bahnbrechende Technologie nutzen. Einsatzbereiche für die SSDs sind Client-PCs, hochperformante mobile, eingebettete oder Gaming-Anwendungen sowie Boot-Laufwerke in Servern, Caching- und Logging-Prozesse oder Standard-Storage-Systeme.

Als Erfinder des Flashspeichers und erstes Unternehmen, das das 3D-Flashspeicher-Konzept vorgestellt hat, ist Toshiba Memory bestrebt, die Grenzen dessen, was möglich ist, kontinuierlich zu erweitern, und technologische Innovationen anzustoßen. Die Technologie 3-Bit-per-Cell (Triple-Level Cell, TLC) BiCS FLASH von Toshiba etwa verbessert die Performance, Speicherdichte und Effizienz von SSDs. Und der innovative 96-Layer-Stacking-Prozess ermöglicht in Kombination mit einer fortschrittlichen Circuit- und Fertigungstechnik eine Erhöhung der Speicherkapazität pro Unit-Chip um annähernd 40 Prozent im Vergleich zum 64-Layer-3D-Flashspeicher.

„Die Einführung der XG6-Serie von Toshiba ebnet den Weg für die Migration auf Client-, Rechenzentrums- und Enterprise-SSDs mit 96-Layer-Technologie“, erklärt Paul Rowan, Vice President SSD Business Unit bei Toshiba Memory Europe. „Die neue XG6-NVMe-SSD-Serie mit einer Speicherkapazität von bis zu 1TB und einem optimierten Controller-Design für höhere Performance und Energieeffizienz umfasst vielseitige Laufwerke, die ideal geeignet sind für Client-, eingebettete und Rechenzentrumsanwendungen. Toshiba Memory steht mit der 96-Layer-BiCS-FLASH-Technologie an vorderster Front der 3D-Flashspeicher-Entwicklung.“

Die XG6-Serie im M.2-2280-Formfaktor, einseitig bestückt, unterstützt PCI Express (2) Generation 3 mit 4 Lanes und NVM Express 3 (3) Revision 1.3a. Die leistungsstarke Kombination von Effizienz und Performance ist ein herausragendes Kennzeichen der XG6-Serie, die 4,7W oder weniger verbraucht. Die SSDs bieten eine ausgezeichnete Performance mit bis zu 3.180MB/s sequenzieller Lese- (4) und bis zu 3.000MB/s sequenzieller Schreibgeschwindigkeit (4) sowie mit einer Random-Lesegeschwindigkeit bis zu 355.000 IOPS und Random-Schreibgeschwindigkeit bis zu 365.000 IOPS (5). Toshiba hat die branchenweit führende sequenzielle Schreibperformance durch SoC (System-on-a-Chip)-Optimierungen erreicht.

Zu den weiteren Leistungsmerkmalen gehören:

  • Hohe Sicherheit durch Pyrite- oder Self-Encrypting-Drive-Modelle gemäß TCG Opal Version 2.01 und Unterstützung von Block SID und digitaler Signatur
  • Unterstützung des Over-Provisioning-Features, das vom Anwender über NVMe Command ausgewählt werden kann
  • Branchenweit führende sequenzielle Performance (Client-Klasse) (6)
  • Optimierter SLC-Puffer zur Verbesserung der Laufwerksperformance bei Client-Workloads

„Die Industrie arbeitet weiter daran, mit der 3D-Flash-Technologie höhere Speicherkapazitäten zu erreichen, mit einer jährlichen Steigerung von 75 Prozent bis 2022 bei 3D-NAND-Petabyte-Flashspeichern“, betont Greg Wong, Gründer und Principal Analyst von Forward Insights. „Die Einführung der 96-Layer-Technologie ist ein wichtiger Meilenstein für Flash und den steigenden Bedarf an schnellerem und dichterem Storage.“

Konzipiert für leseintensive Applikationen und hohe Energieeffizienz, Performance und Kompaktheit sind die SSDs der XG6-Serie mit Kapazitäten von 256GB, 512GB und 1.024GB verfügbar (7), (8).

Die neuen SSDs werden aktuell ausgewählten OEM-Kunden zur Verfügung gestellt und auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, vom 7. bis 9. August in Halle A am Stand 307 vorgestellt.

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Toshiba Memory Europe präsentiert Value-SAS-SSDs als SATA-Alternative

Düsseldorf, 20. Juni 2018 – Toshiba Memory Europe GmbH, europäischer Geschäftszweig der Toshiba Memory Corporation, präsentiert wegweisende SAS-SSDs, mit denen SATA-SSDs in Servern ersetzt werden können. Die neuen RM5 12Gbit/s Value SAS (vSAS) SSDs bieten Speicherkapazität, Performance, Zuverlässigkeit und Datensicherheit zu einem Preis, der SATA-SSDs obsolet macht.

Auf Basis seiner Integrationsexpertise in den Bereichen Flash-Technologie, Firmware und Controller-Design hat Toshiba Memory Corporation, weltweit führendes Unternehmen im SAS-SSD-Markt (1), die RM5-Serie optimiert, um die Kostenlücke zu SATA zu schließen – und eine neue SSD-Klasse zu etablieren. SATA kann prinzipiell nicht mit SAS konkurrieren, gerade im Hinblick auf Performance, Robustheit und Verschlüsselungsoptionen.

„Entwickelt im Hinblick auf Preisattraktivität und den Einsatz in Servern ist die RM5-vSAS-Serie von Toshiba eine kosteneffiziente und hochperformante Lösung, die die mit SATA verbundenen Einschränkungen überwindet“, erklärt Paul Rowan, General Manager SSD Unit bei Toshiba Memory Europe.

Während SATA-Laufwerke für Skalierungen oft einen SAS-Expander verwenden, ermöglicht die RM5-Serie eine native End-to-End-SAS-Nutzung und eliminiert damit die Notwendigkeit einer Protokollanpassung an SATA. Anwender können damit die umfangreichen SAS-Vorteile uneingeschränkt nutzen, wie etwa die im Vergleich zu SATA höhere Performance.

Die RM5-Serie mit BiCS FLASH TLC (3-Bit-per-Cell) 3D Flash der Toshiba Memory Corporation ist zunächst mit Speicherkapazitäten von bis zu 7,68TB (2), einem 12Gbit/s-Port und einem SFF-8639-Konnektor sowie in einem 2,5-Zoll-Formfaktor verfügbar. Die Bereitstellung einer begrenzten Anzahl von Mustern der neuen Serie an OEM-Kunden hat begonnen und Toshiba wird die Auslieferung ab dem dritten Quartal 2018 kontinuierlich erhöhen.

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* Firmennamen, Produktbezeichnungen und die Namen der Dienstleistungen können Warenzeichen ihrer jeweiligen Unternehmen sein.

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Toshiba Memory Europe stellt portable SSDs der neuen XS700-Serie vor

Düsseldorf, 30. Mai 2018 – Toshiba Memory Europe GmbH präsentiert mit der XS700-SSD-Serie neue portable Solid State Drives (SSDs). Die schlanken, stylishen und robusten externen SSDs bieten die hohe portable Performance, die der heutige Digital Lifestyle verlangt. Die Basis dafür bildet die technische Expertise von Toshiba, dem Entwickler des NAND-FLASH-Speichers.

Die Arbeit mit großen Multimedia-Dateien wie 4K-Videos oder hochauflösenden Fotos erfordert typischerweise eine höhere Geschwindigkeit als sie portable Hard Disk Drives (HDDs) bieten können. Die XS700-Serie ist eine schnellere und robustere Alternative – mit bis zu 4,5-fach höherer Geschwindigkeit als herkömmliche HDDs (1). Auf Basis des eigenen 3D-Flashspeichers von Toshiba Memory Corporation, des 64-Layer BiCS FLASH, bietet die XS700 einen portablen State-of-the-Art-Speicher für Anwender, die auch unterwegs maximale Performance, exzellente Zuverlässigkeit und schnellen Datenzugriff erwarten.

„Die XS700 wurde mit Blick auf die Zukunft entwickelt und bietet deshalb USB-3.1-Gen-2-Unterstützung und den neuesten USB-Typ-C-Konnektor“, betont Paul Rowan, Toshiba Memory Europe GmbH. „Damit ist die neue SSD von Toshiba kompatibel mit aktuellen Rechnern wie MacBook, MacBook Pro und iMac sowie Windows-basierten Systemen.“

Konzipiert mit der Zuverlässigkeit und Stabilität, die die SSDs von Toshiba auszeichnen, sind die XS700 extrem robust und dank der fehlenden beweglichen Teile sehr haltbar. Die Laufwerke mit Aluminiumgehäuse sind stoßsicher und Falltest-zertifiziert – bei Falltests aus zwei Metern Höhe. Zu den weiteren Features gehört auch eine Utility Software, die Passwortschutz, Wartungskontrolle, Überwachung und SSD-Tuning bietet.

Für die Laufwerke gibt Toshiba eine 3-Jahres-Garantie. Verfügbar ist zunächst ein Modell mit 240GB (2), das über E-Tailer wie Amazon, Ebuyer und MediaMarkt bezogen werden kann.

(1) Im Vergleich zu HDDs mit gleicher Speicherkapazität. Die Tests wurden durchgeführt mit ATTO und CrystalDiskMark unter Testbedingungen der Toshiba Memory Corporation.

(2) Die Produktdichte wird auf Basis der maximalen Dichte der Speicherchips im Produkt identifiziert und nicht anhand der Speicherkapazität, die für den Endanwender zur Verfügung steht. Die nutzbare Speicherkapazität kann wegen Overhead-Daten, der Formatierung, Bad Blocks und anderer Bedingungen geringer sein sowie auch abhängig von Host-Gerät und Applikationen variieren. Weitere Details finden sich unter den maßgeblichen Produktspezifikationen.

USB Typ-C ist ein Markenzeichen des USB Implementers Forum. Alle anderen genannten Firmennamen, Produktbezeichnungen oder die Namen der Dienstleistungen können registrierte Markenzeichen oder Markenzeichen ihrer jeweiligen Unternehmen sein.

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