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Micron liefert die weltweit fortschrittlichste DRAM-Technologie mit 1-Beta-Node

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) verkündete heute den Versand von Qualifizierungsmustern seiner 1β- (1-beta) DRAM-Technologie an ausgewählte Smartphone-Hersteller und Chipsatz-Partner sowie die Serienreife des weltweit fortschrittlichsten DRAM-Technologieknotens. Das Unternehmen führt seine nächste Generation von Prozesstechnologie auf seinem Low-Power-Double-Data-Rate-5X-DRAM (LPDDR5X) mobilen Arbeitsspeicher ein, die einen Höchstgeschwindigkeitsgrad von 8,5 Gigabits (Gb) pro Sekunde erreicht. Der Knoten sorgt für eine erhebliche Steigerung von Leistung, Bit-Dichte und Energieeffizienz, was zu weitreichenden Marktvorteilen führen wird. Über den mobilen Aspekt hinaus bietet 1β einen DRAM mit niedriger Latenz, geringem Energieverbrauch und starker Leistung, der für die Unterstützung extrem reaktiver Anwendungen, Echtzeit-Dienstleistungen, Personalisierung und Kontextualisierung von Erfahrungen, von intelligenten Fahrzeugen bis zu Datenzentren, essenziell ist. 

1β ist der modernste DRAM Prozessknoten der Welt und steht für den Ausbau von Microns Marktführerschaft, die 2021 durch den Massenversand von 1α (1-alpha) begründet wurde. Der Knoten bietet eine ungefähr um 15 % verbesserte Energieeffizienz sowie eine mit 16 Gb pro Die-Kapazität um über 35 % verbesserte Bit-Dichte.1

„Die Einführung unseres 1-beta-DRAM steht für einen weiteren Vorwärtsschritt in der Speicherinnovation, die durch unsere firmeneigene multistrukturelle Lithographie kombiniert mit bahnbrechender Prozesstechnologie und hochmodernen Werkstoffkompetenzen ermöglicht wird“, sagt Scott DeBoer, geschäftsführender Vizepräsident für Technologie und Produkte bei Micron. „Dieser Knoten bietet die höchstentwickelte DRAM-Technologie der Welt, mit mehr Bits pro Speicher-Wafer als jemals zuvor. Er schafft die Grundlage für die Einführung einer neuen Generation von datenintensiven, intelligenten und energieeffizienten Technologien – von der Edge bis zur Cloud.“ 

Dieser neue Meilenstein folgt mit Spitzengeschwindigkeit Microns Markteinführung des ersten 232-Layer-NAND der Welt im Juli, das noch nie dagewesene Leistung und Flächendichte für Speicher präsentiert. Mithilfe dieser neuen, weltersten Errungenschaften legt Micron das Tempo für den Markt für Arbeits- und Datenspeicherinnovationen vor – ermöglicht durch die feste Verankerung des Unternehmens in zukunftsweisender Forschung und Entwicklung sowie Herstellungsverfahrenstechnologie. 

Mit dem LPDDR5X-Testprodukt wird das mobile Ökosystem als erstes von den erheblichen Vorteilen des 1β DRAM profitieren, das zukunftsweisende mobile Innovation und fortschrittliche Smartphone-Erfahrungswerte ermöglicht – mit geringerem Energieverbrauch. Mit der Geschwindigkeit und Dichte von 1β verlaufen Anwendungsfälle mit hoher Bandbreite reibungsloser und reaktionsfähiger beim Herunterladen, Inbetriebnehmen und simultaner Nutzung von datenintensiven 5G- und KI-Anwendungen (künstliche Intelligenz Apps). Zusätzlich verbessert 1β-basierten LPDDR5X nicht nur die Inbetriebnahme von Smartphone-Kameras, Nacht- und Porträtmodus mit Geschwindigkeit und -Schärfe, sondern ermöglicht auch verwacklungsfreie, hochauflösende 8K-Videoaufnahmen sowie intuitive telefonische Videobearbeitung. 

Der geringe Energieverbrauch pro Bit der 1β-Prozesstechnologie bietet die bis dato energieeffizienteste Speichertechnologie auf dem Smartphone-Markt. Dies ermöglicht Smartphone-Herstellern, Geräte mit einer verbesserten Batterielebensdauer zu entwerfen – eine sehr bedeutsame Entwicklung angesichts der energie- und datenintensiven Apps von heute. 

Auch mit den bei diesem 1β-basierten LPDDR5X implementierten, neuen durch JEDEC verbesserten dynamischen Spannungs- und Frequenz-Skalierungserweiterungs-Kerntechniken (eDVFSC) lässt sich Energie sparen. Der Zusatz von eDVFSC bei doppelter Frequenzstufe von bis zu 3.200 Megabits pro Sekunde2 sorgt für verbesserte Energieeinsparungen und somit für eine effizientere Energiekontrolle, je nach Nutzungsmuster des Endverbrauchers.

Micron fordert die Gesetze der Physik heraus mit anspruchsvoller Lithographie und Nanofertigung

Der branchenerste 1β-Knoten von Micron ermöglicht eine höhere Speicherkapazität bei geringerem Volumen, was niedrigere Kosten pro Daten-Bit möglich macht. DRAM-Skalierung wird hauptsächlich durch diese Fähigkeit definiert, mehr und schnellere Speicherung pro Quadratmillimeter des Halbleiterbereichs bereitzustellen, wozu die Schaltkreise verkleinert werden müssen, damit Milliarden von Speicherzellen auf einen Chip von der Größe eines Fingernagels passen. Seit Jahrzehnten verkleinert die Halbleiterbranche mindestens alle zwei Jahre mit jedem neuen Prozessknoten die Geräte; allerdings werden durch die immer kleiner werdenden Chips beim Entwurf von Schaltkreismustern auf Wafern die Gesetze der Physik herausgefordert. 

Während in der Branche immer häufiger ein neues Instrument mit extrem starkem UV-Licht genutzt wird, um diese technischen Herausforderungen zu meistern, hat Micron diese noch junge Technologie geschickt umgangen, indem es sich seiner bewährten und branchenführenden Kompetenz in Nanofertigung und Lithographie bedient hat. Dabei werden die firmeneigenen, hochmodernen multistrukturellen Techniken und Immersionsfähigkeiten einbezogen, um diese winzigen Funktionen mit Hochpräzision zu gestalten. Die durch diese Verkleinerung erreichte, größere Kapazität wird Geräten mit kleinem Formfaktor wie Smartphones und IoT-Geräte einen größeren Speicher in kompakten Gehäusen ermöglichen. 

Um mit 1β und 1α diesen Wettbewerbsvorteil zu erreichen, hat Micron in den letzten Jahren seine Produktionsvortrefflichkeit, Ingenieursleistungen sowie zukunftsweisende Forschung und Entwicklung aggressiv vorangetrieben. Dank dieses beschleunigten Innovationsprozesses gelang Micron der beispiellose Coup mit der Einführung des 1α Knotens – ein Jahr vor der Konkurrenz – was seine Führungsposition auf dem DRAM und NAND-Markt etablierte; zum ersten Mal in der Unternehmensgeschichte.3 In den letzten Jahren hat Micron weitere Milliarden US-Dollar in die Umwandlung seiner Mikrochip-Herstellungsanlagen zu zukunftsweisenden, hoch automatisierten nachhaltigen und KI-orientierten Produktionsstandorten investiert. Dies umfasst Investitionen in Microns Werk in Hiroshima, Japan, das 1β-DRAM serienmäßig herstellen wird. 

1-beta legt das omnipräsente Fundament für eine besser vernetzte nachhaltige Welt

Während energieintensive Anwendungsfälle wie Maschine-zu-Maschine-Kommunikationen, KI und maschinelles Lernen immer mehr an Fahrt aufnehmen, werden energieeffiziente Technologien immer wichtiger für Unternehmen; insbesondere jene, die strenge Nachhaltigkeitsziele erreichen und Betriebskosten senken wollen. Forschungsergebnisse zeigen, dass die Ausbildung eines einzigen KI-Modells fünfmal so viel Kohlenstoffemissionen erzeugt, wie ein amerikanisches Auto während seines gesamten Lebenszyklus, einschließlich seiner Herstellung. Außerdem wird die Informations- und Kommunikationstechnologie laut Prognose bis 2030 bereits 20 % der Elektrizität weltweit verbrauchen.

Microns 1β DRAM-Knoten bietet eine vielseitige Grundlage für Fortschritte in der Energieinnovation in einer vernetzten Welt, die schnelle, omnipräsente und energieeffiziente Speicher benötigt, um die Digitalisierung, Optimierung und Automatisierung voranzutreiben. Der auf 1β erschaffene Speicher mit hoher Dichte und geringem Energieverbrauch ermöglicht einen energieeffizienteren Datenfluss zwischen datenintensiven Smart-Geräten, -Systemen und -Anwendungen sowie mehr Informationsübertragung von der Edge zur Cloud. Innerhalb des nächsten Jahres wird das Unternehmen sein restliches Portfolio aus eingebetteten, Rechenzentrums-, Kunden-, Verbraucher-, industriellen und Automobilsegmenten, einschließlich Grafikspeicher, Speicher mit hoher Bandbreite und vieles mehr, auf 1β aufbauen. 

Ressourcen

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Wir sind Branchenführer im Bereich innovative Arbeits- und Datenspeicherlösungen, welche die Art und Weise verändern, wie die Welt Informationen nutzt, um das Leben für alle zu bereichern. Mit einem unermüdlichen Fokus auf unsere Kunden, Technologieführerschaft sowie hervorragende Herstellungs- und Betriebsqualität bietet Micron über unsere Marken Micron® und Crucial® ein reichhaltiges Portfolio an leistungsstarken DRAM-, NAND- und NOR-Arbeits- und Datenspeicherprodukten an. Jeden Tag fördern die Innovationen, die unsere Mitarbeiter entwickeln, die Datenwirtschaft und ermöglichen Fortschritte bei künstlicher Intelligenz und 5G-Anwendungen, die Chancen eröffnen – vom Rechenzentrum bis hin zum Intelligent Edge wie auch über Client- und Mobilgerätenutzer hinweg. Mehr über Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) erfahren Sie unter micron.de.

© 2022 Micron Technology, Inc. Alle Rechte vorbehalten. Informationen, Produkte und Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Micron, das Micron Logo und alle anderen Micron Marken sind Eigentum von Micron Technology, Inc. Alle sonstigen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Über die vorherige Generation von 1-alpha

Im Vergleich zu 1.600 Megabits pro Sekunde ermöglicht durch DVFSC für 1-alpha

Folgt mit Spitzengeschwindigkeit Microns Massenversand seines branchenführenden 176-Layer-NAND im November 2020

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